STI28N60M2

Name: STMicroelectronics STI28N60M2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STI28N60M2
Price: 4861 KRW
Availability: InStock

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Mouser 번호:

511-STI28N60M2

제조업체 번호:

STI28N60M2

제조업체:

STMicroelectronics

설명:

MOSFET N-channel 600 V, 0.135 Ohm typ., 22 A MDmesh M2 Power MOSFET in D2PAK package

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데이터시트:

STI28N60M2 데이터시트 (PDF)

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	₩2,671.8	₩26,718
	₩2,190	₩219,000
	₩1,927.2	₩963,600
	₩1,912.6	₩1,912,600
	₩1,898	₩3,796,000
	₩1,883.4	₩9,417,000

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제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	STMicroelectronics
제품 카테고리:	MOSFET
RoHS:
기술:	Si
장착 스타일:	SMD/SMT
패키지/케이스:	D2PAK-3 (TO-263-3)
트랜지스터 극성:	N-Channel
채널 수:	1 Channel
Vds - 드레인 소스 항복 전압:	600 V
Id - 연속 드레인 전류:	22 A
Rds On - 드레인 소스 저항:	135 mOhms
Vgs - 게이트 소스 전압:	- 25 V, 25 V
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압:	2 V
Qg - 게이트 전하:	36 nC
최저 작동온도:	- 55 C
최고 작동온도:	+ 150 C
Pd - 전력 발산:	170 W
채널 모드:	Enhancement
상표명:	MDmesh
포장:	Tube
브랜드:	STMicroelectronics
구성:	Single
하강 시간:	8 ns
제품 유형:	MOSFETs
상승 시간:	7.2 ns
시리즈:	STI28N60M2
팩토리 팩 수량:	1000
하위 범주:	Transistors
트랜지스터 타입:	1 N-Channel
표준 턴-오프 지연 시간:	100 ns
표준 턴-온 지연 시간:	14.5 ns
단위 중량:	1.460 g

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문서 필터:

데이터시트

STI28N60M2 데이터시트 (PDF)

PCN

KRHTS:: 8541299000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

MDMesh™ N-Channel Power MOSFETs

STMicroelectronics' MDMesh™ N-Channel Power MOSFETs are developed using STMicroelectronics' revolutionary MDmesh™ technology, which associates the multiple drain process with the company's PowerMESH™ horizontal layout. These devices offer extremely low on-resistance, high dv/dt and excellent avalanche characteristics. Utilizing ST's proprietary strip technique, these Power MOSFETs boast an overall dynamic performance which is superior to similar products on the market. Key features include low input capacitance and gate charge, low gate input resistance, and best R_DS(on)*Q_g in the industry.

MDmesh™ II Power MOSFETs

STMicroelectronics 600 and 650V MDmesh™ M2 series of super-junction Power MOSFETs are optimized for soft-switching applications (LLC resonant power supplies) thanks to the optimized trade-off between R_DS(on), gate charge (Qg) and intrinsic capacitances (Ciss, Coss). They also are suitable for PFC applications, especially at light loads.