STH315N10F7-2

STMicroelectronics
511-STH315N10F7-2
STH315N10F7-2

제조업체:

설명:
MOSFET Automotive-grade N-channel 100 V, 2.1 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET
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데이터시트:
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합계
컷 테이프/MouseReel™ †
₩8,132.2 ₩8,132
₩5,431.2 ₩54,312
₩4,117.2 ₩411,720
₩3,504 ₩1,752,000
전체 릴(1000의 배수로 주문)
₩2,701 ₩2,701,000
† ₩8,000 MouseReel™ 수수료는 장바구니에 더해져 계산됩니다. 모든 MouseReel™ 주문은 취소 및 환불이 불가능합니다. ↩

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STMicroelectronics
제품 카테고리: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
H2PAK-2
N-Channel
1 Channel
100 V
180 A
2.3 mOhms
- 20 V, 20 V
3.5 V
180 nC
- 55 C
+ 175 C
315 W
Enhancement
AEC-Q101
STripFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
브랜드: STMicroelectronics
구성: Single
하강 시간: 40 ns
제품 유형: MOSFETs
상승 시간: 108 ns
시리즈: STH315N10F7-2
팩토리 팩 수량: 1000
하위 범주: Transistors
트랜지스터 타입: 1 N-Channel
표준 턴-오프 지연 시간: 148 ns
표준 턴-온 지연 시간: 62 ns
단위 중량: 4 g
제품을 찾음:
유사 제품을 표시하려면 확인란을 하나 이상 선택하십시오.
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속성 선택됨: 0

KRHTS:
8541299000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

STripFET™ F7 Power MOSFETs

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전력 MOSFET 및 IGBT 최신 기술

STMicroelectronics는 전력 MOSFET 및 IGBT 최신 기술을 제공합니다. ST는 SMPS, 조명, 모터 제어 및 다양한 산업용 애플리케이션을 대상으로 하는 특정 애플리케이션에 맞춤형으로 구성된 광범위한 MOSFET 및 IGBT 포트폴리오를 제공합니다. ST의 포트폴리오에는 하드 및 소프트 스위치드 토폴로지를 위한 고전압 초접합 MOSFET 및 트렌치 게이트 필드 스톱 IGBT와 전력 변환 및 BLDC 모터 드라이브용 저전압 트렌치 기반 MOSFET이 포함됩니다. ST의 최신 1,200V SiC MOSFET은 200°C의 업계 최고의 정션 온도와 면적당 매우 낮은 RDS(on) 그리고 우수한 스위칭 성능을 제공하여 더욱 효율적이고 컴팩트한 SMPS 설계를 지원합니다. 모터 제어의 경우, M 시리즈 IGBT는 강력한 단락 등급과 함께 최적으로 절충된 VCE(SAT)와 E(off)를 제공합니다. ST의 전력 설계를 위한 완전한 라인의 MOSFET과 IGBT를 살펴보십시오.

STripFET Power MOSFETs

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