STGYA120M65DF2

Name: STMicroelectronics STGYA120M65DF2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGYA120M65DF2
Price: 13446 KRW
Availability: InStock

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Mouser 번호:

511-STGYA120M65DF2

제조업체 번호:

STGYA120M65DF2

제조업체:

STMicroelectronics

설명:

IGBT Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 120 A low loss

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데이터시트:

STGYA120M65DF2 데이터시트 (PDF)

ECAD 모델:

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₩-

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가격 (KRW)

수량	단가	합계
	₩13,446.6	₩13,447
	₩7,884	₩78,840
	₩6,759.8	₩675,980
	₩6,745.2	₩4,047,120
25,200	견적

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	STMicroelectronics
제품 카테고리:	IGBT
RoHS:
기술:	Si
패키지/케이스:	Max247-3
장착 스타일:	Through Hole
구성:	Single
콜렉터- 최대 이미터 전압 VCEO:	650 V
콜렉터-이미터 포화 전압:	1.65 V
최대 게이트 이미터 전압:	- 20 V, 20 V
25 C의 지속적인 컬렉터 전류:	160 A
Pd - 전력 발산:	625 W
최저 작동온도:	- 55 C
최고 작동온도:	+ 175 C
시리즈:	STGYA120M65DF2
포장:	Tube
브랜드:	STMicroelectronics
최대 연속 콜렉터 전류 Ic :	160 A
게이트-이미터 누설 전류:	+/- 250 uA
제품 유형:	IGBT Transistors
팩토리 팩 수량:	600
하위 범주:	IGBTs
단위 중량:	4.430 g

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문서 필터:

데이터시트

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PCN

KRHTS:: 8541299000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

STM 650V M Series Trench Gate Field-Stop IGBTs

STMicroelectronics 650V M Series Trench Gate Field-Stop IGBTs are developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. STMicroelectronics 650V M series supply a 3A-150A maximum collector current for applications with up to 100kHz operating frequency. The IGBTs have an optimized design and are available in a tailored built-in anti-parallel diode. A positive V_CE(sat) temperature coefficient and tight parameter distribution result in safer paralleling operation.