STGWA8M120DF3

STMicroelectronics
511-STGWA8M120DF3
STGWA8M120DF3

제조업체:

설명:
IGBT Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 8 A low loss
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데이터시트:
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₩-
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가격 (KRW)

수량 단가
합계
₩5,986 ₩5,986
₩3,942 ₩39,420
₩2,774 ₩277,400
₩2,219.2 ₩1,331,520
₩2,029.4 ₩2,435,280

제품 속성 속성 값 속성 선택
STMicroelectronics
제품 카테고리: IGBT
RoHS:  
Si
TO-247-3
Through Hole
Single
1.2 kV
1.85 V
- 20 V, 20 V
16 A
167 W
- 55 C
+ 175 C
M
Tube
브랜드: STMicroelectronics
게이트-이미터 누설 전류: 250 nA
제품 유형: IGBT Transistors
팩토리 팩 수량: 600
하위 범주: IGBTs
제품을 찾음:
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속성 선택됨: 0

데이터시트

PCN

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

M Series 1200V Trench Gate Field-Stop IGBTs

STMicroelectronics M Trench Gate Field-Stop IGBTs are developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. These devices represent an optimum compromise in performance to maximize the efficiency of inverter systems where low-loss and short circuit capability are essential. A positive VCE(sat) temperature coefficient and tight parameter distribution also result in safer paralleling operation. Typical applications for these devices include industrial drives, UPS, solar, and welding.

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