STGWA50M65DF2

Name: STMicroelectronics STGWA50M65DF2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGWA50M65DF2
Price: 7752 KRW
Availability: InStock

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Mouser 번호:

511-STGWA50M65DF2

제조업체 번호:

STGWA50M65DF2

제조업체:

STMicroelectronics

설명:

IGBT Trench gate field-stop 650 V, 50 A low-loss M series IGBT in a TO-247 long leads

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데이터시트:

STGWA50M65DF2 데이터시트 (PDF)

ECAD 모델:

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수량	단가	합계
	₩7,752.6	₩7,753
	₩4,438.4	₩44,384
	₩3,124.4	₩312,440
	₩2,949.2	₩1,769,520

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제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	STMicroelectronics
제품 카테고리:	IGBT
RoHS:
기술:	Si
패키지/케이스:	TO-247-3
장착 스타일:	Through Hole
구성:	Single
콜렉터- 최대 이미터 전압 VCEO:	650 V
콜렉터-이미터 포화 전압:	1.65 V
최대 게이트 이미터 전압:	- 20 V, 20 V
25 C의 지속적인 컬렉터 전류:	80 A
Pd - 전력 발산:	375 W
최저 작동온도:	- 55 C
최고 작동온도:	+ 175 C
시리즈:	HB2
포장:	Tube
브랜드:	STMicroelectronics
최대 연속 콜렉터 전류 Ic :	80 A
게이트-이미터 누설 전류:	+/- 250 uA
제품 유형:	IGBT Transistors
팩토리 팩 수량:	600
하위 범주:	IGBTs
단위 중량:	6 g

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문서 필터:

데이터시트

STGWA50M65DF2 데이터시트 (PDF)

PCN

KRHTS:: 8541299000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

STM 650V M Series Trench Gate Field-Stop IGBTs

STMicroelectronics 650V M Series Trench Gate Field-Stop IGBTs are developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. STMicroelectronics 650V M series supply a 3A-150A maximum collector current for applications with up to 100kHz operating frequency. The IGBTs have an optimized design and are available in a tailored built-in anti-parallel diode. A positive V_CE(sat) temperature coefficient and tight parameter distribution result in safer paralleling operation.

650V IH 시리즈 IGBT

STMicroelectronics 650V IH 시리즈 IGBT는 유도 가열 시스템 및 소프트 스위칭 애플리케이션을 위한 높은 효율을 제공합니다. 이 IGBT는 현재 유도 가열 애플리케이션에 사용되는 HB 시리즈를 초과하는 STPOWER™ 제품군에 속합니다. 650V IH 시리즈는 매우 낮은 턴오프 에너지와 더불어 낮은 V_CE(sat) 덕분에 최종 애플리케이션에서 효율성 향상을 보장합니다. 40A 및 50A 장치는 이미 TO-247 Long Leads 패키지로 제공되고, 20A 및 30A 장치는 개발 중입니다.