STGWA25M120DF3

STMicroelectronics
511-STGWA25M120DF3
STGWA25M120DF3

제조업체:

설명:
IGBT Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 25 A low loss
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데이터시트:
ECAD 모델:
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재고 상태: 1,218

재고:
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단가:
₩-
합계:
₩-
예상 관세:

가격 (KRW)

수량 단가
합계
₩7,650.4 ₩7,650
₩4,307 ₩43,070
₩3,022.2 ₩302,220
₩2,832.4 ₩1,699,440

제품 속성 속성 값 속성 선택
STMicroelectronics
제품 카테고리: IGBT
RoHS:  
Si
TO-247-3
Through Hole
Single
1.2 kV
1.85 V
- 20 V, 20 V
50 A
375 W
- 55 C
+ 175 C
M
Tube
브랜드: STMicroelectronics
최대 연속 콜렉터 전류 Ic : 25 A
게이트-이미터 누설 전류: 250 nA
제품 유형: IGBT Transistors
팩토리 팩 수량: 600
하위 범주: IGBTs
단위 중량: 38 g
제품을 찾음:
유사 제품을 표시하려면 확인란을 하나 이상 선택하십시오.
이 카테고리에 유사 제품을 표시하려면 확인란을 하나 이상 선택하십시오.
속성 선택됨: 0

KRHTS:
8541299000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

M Series 1200V Trench Gate Field-Stop IGBTs

STMicroelectronics M Trench Gate Field-Stop IGBTs are developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. These devices represent an optimum compromise in performance to maximize the efficiency of inverter systems where low-loss and short circuit capability are essential. A positive VCE(sat) temperature coefficient and tight parameter distribution also result in safer paralleling operation. Typical applications for these devices include industrial drives, UPS, solar, and welding.

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