STGW25M120DF3

STMicroelectronics
511-STGW25M120DF3
STGW25M120DF3

제조업체:

설명:
IGBT Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 25 A low loss
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데이터시트:
ECAD 모델:
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주문 중:
597
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공장 리드 타임:
14
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단가:
₩-
합계:
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수량 단가
합계
₩8,803.8 ₩8,804
₩4,088 ₩40,880
₩3,591.6 ₩359,160
₩3,474.8 ₩2,084,880
5,400 견적

제품 속성 속성 값 속성 선택
STMicroelectronics
제품 카테고리: IGBT
RoHS:  
Si
TO-247-3
Through Hole
Single
1.2 kV
1.85 V
- 20 V, 20 V
50 A
326 W
- 55 C
+ 175 C
M
Tube
브랜드: STMicroelectronics
게이트-이미터 누설 전류: 250 nA
제품 유형: IGBT Transistors
팩토리 팩 수량: 600
하위 범주: IGBTs
단위 중량: 38 g
제품을 찾음:
유사 제품을 표시하려면 확인란을 하나 이상 선택하십시오.
이 카테고리에 유사 제품을 표시하려면 확인란을 하나 이상 선택하십시오.
속성 선택됨: 0

KRHTS:
8541299000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

M Series 1200V Trench Gate Field-Stop IGBTs

STMicroelectronics M Trench Gate Field-Stop IGBTs are developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. These devices represent an optimum compromise in performance to maximize the efficiency of inverter systems where low-loss and short circuit capability are essential. A positive VCE(sat) temperature coefficient and tight parameter distribution also result in safer paralleling operation. Typical applications for these devices include industrial drives, UPS, solar, and welding.

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