STGP30M65DF2

Name: STMicroelectronics STGP30M65DF2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGP30M65DF2
Price: 5122 KRW
Availability: InStock

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Mouser 번호:

511-STGP30M65DF2

제조업체 번호:

STGP30M65DF2

제조업체:

STMicroelectronics

설명:

IGBT Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 30 A low loss

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데이터시트:

STGP30M65DF2 데이터시트 (PDF)

ECAD 모델:

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재고 상태: 851

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수량	단가	합계
	₩5,122.4	₩5,122
	₩2,568.8	₩25,688
	₩2,310.4	₩231,040
	₩1,884.8	₩942,400
	₩1,732.8	₩1,732,800

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제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	STMicroelectronics
제품 카테고리:	IGBT
RoHS:
기술:	Si
장착 스타일:	Through Hole
구성:	Single
콜렉터- 최대 이미터 전압 VCEO:	650 V
콜렉터-이미터 포화 전압:	1.55 V
최대 게이트 이미터 전압:	- 20 V, 20 V
25 C의 지속적인 컬렉터 전류:	60 A
Pd - 전력 발산:	258 W
최저 작동온도:	- 55 C
최고 작동온도:	+ 175 C
시리즈:	STGP30M65DF2
포장:	Tube
브랜드:	STMicroelectronics
제품 유형:	IGBT Transistors
팩토리 팩 수량:	1000
하위 범주:	IGBTs
단위 중량:	2 g

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속성 선택됨: 0

문서 필터:

데이터시트

STGP30M65DF2 데이터시트 (PDF)

PCN

규정 준수 코드

KRHTS:: 8541299000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

원산지 분류

COO(원산지):: 중국
어셈블리 원산지:: 불가능
COD(확산 공정 국가):: 불가능

배송 시 국가는 변경될 수 있습니다.

STM 650V M Series Trench Gate Field-Stop IGBTs

STMicroelectronics 650V M Series Trench Gate Field-Stop IGBTs are developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. STMicroelectronics 650V M series supply a 3A-150A maximum collector current for applications with up to 100kHz operating frequency. The IGBTs have an optimized design and are available in a tailored built-in anti-parallel diode. A positive V_CE(sat) temperature coefficient and tight parameter distribution result in safer paralleling operation.