STGP30H60DFB

STMicroelectronics
511-STGP30H60DFB
STGP30H60DFB

제조업체:

설명:
IGBT Trench gate field-stop 600 V, 30 A high speed HB series IGBT
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데이터시트:
ECAD 모델:
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재고:
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단가:
₩-
합계:
₩-
예상 관세:

가격 (KRW)

수량 단가
합계
₩4,190.2 ₩4,190
₩2,073.2 ₩20,732
₩1,868.8 ₩186,880
₩1,518.4 ₩759,200
₩1,389.9 ₩1,389,900
₩1,321.3 ₩2,642,600
₩1,255.6 ₩6,278,000

제품 속성 속성 값 속성 선택
STMicroelectronics
제품 카테고리: IGBT
RoHS:  
Si
TO-220-3
Through Hole
Single
600 V
1.55 V
- 20 V, 20 V
60 A
260 W
- 55 C
+ 175 C
STGP30H60DFB
Tube
브랜드: STMicroelectronics
최대 연속 콜렉터 전류 Ic : 60 A
게이트-이미터 누설 전류: +/- 250 nA
제품 유형: IGBT Transistors
팩토리 팩 수량: 1000
하위 범주: IGBTs
단위 중량: 2 g
제품을 찾음:
유사 제품을 표시하려면 확인란을 하나 이상 선택하십시오.
이 카테고리에 유사 제품을 표시하려면 확인란을 하나 이상 선택하십시오.
속성 선택됨: 0

KRHTS:
8541299000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

HB 시리즈 트렌치 게이트 필드 스톱 IGBT

STMicroelectronics HB 시리즈 트렌치 게이트 필드 스톱 IGBT는 첨단 독점 트렌치 게이트 및 필드 스톱 구조를 사용합니다. 이런 새로운 HB 소자는 전도 및 스위칭 손실을 줄여 주파수 변환기의 효율을 극대화합니다. VCE(sat)의 정 온도 계수와 매우 근접한 매개 변수 분포를 통해 더욱 안전한 병렬 작동을 보장합니다.
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