STGF15M65DF2

STMicroelectronics
511-STGF15M65DF2
STGF15M65DF2

제조업체:

설명:
IGBT Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 15 A low loss
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데이터시트:
ECAD 모델:
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재고:
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최소: 1   배수: 1
단가:
₩-
합계:
₩-
예상 관세:

가격 (KRW)

수량 단가
합계
₩2,978.4 ₩2,978
₩1,439.6 ₩14,396
₩1,280.4 ₩128,040
₩1,024.9 ₩512,450
₩938.8 ₩938,800
₩886.2 ₩1,772,400
₩789.9 ₩3,949,500

제품 속성 속성 값 속성 선택
STMicroelectronics
제품 카테고리: IGBT
RoHS:  
Si
TO-220FP-3
Through Hole
Single
650 V
1.55 V
- 20 V, 20 V
30 A
31 W
- 55 C
+ 175 C
STGF15M65DF2
Tube
브랜드: STMicroelectronics
최대 연속 콜렉터 전류 Ic : 30 A
게이트-이미터 누설 전류: +/- 250 uA
제품 유형: IGBT Transistors
팩토리 팩 수량: 1000
하위 범주: IGBTs
단위 중량: 2.300 g
제품을 찾음:
유사 제품을 표시하려면 확인란을 하나 이상 선택하십시오.
이 카테고리에 유사 제품을 표시하려면 확인란을 하나 이상 선택하십시오.
속성 선택됨: 0

KRHTS:
8541299000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

STM 650V M Series Trench Gate Field-Stop IGBTs

STMicroelectronics 650V M Series Trench Gate Field-Stop IGBTs are developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. STMicroelectronics 650V M series supply a 3A-150A maximum collector current for applications with up to 100kHz operating frequency. The IGBTs have an optimized design and are available in a tailored built-in anti-parallel diode. A positive VCE(sat) temperature coefficient and tight parameter distribution result in safer paralleling operation.

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