STGF15M65DF2

STMicroelectronics
511-STGF15M65DF2
STGF15M65DF2

제조업체:

설명:
IGBT Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 15 A low loss
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데이터시트:
ECAD 모델:
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제품 속성 속성 값 속성 선택
STMicroelectronics
제품 카테고리: IGBT
RoHS:  
Si
TO-220FP-3
Through Hole
Single
650 V
1.55 V
- 20 V, 20 V
30 A
31 W
- 55 C
+ 175 C
STGF15M65DF2
Tube
브랜드: STMicroelectronics
최대 연속 콜렉터 전류 Ic : 30 A
게이트-이미터 누설 전류: 250 uA
제품 유형: IGBT Transistors
팩토리 팩 수량: 2000
하위 범주: IGBTs
단위 중량: 2.300 g
제품을 찾음:
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속성 선택됨: 0

규정 준수 코드
KRHTS:
8541299000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
원산지 분류
COO(원산지):
중국
어셈블리 원산지:
불가능
COD(확산 공정 국가):
불가능
배송 시 국가는 변경될 수 있습니다.

STM 650V M Series Trench Gate Field-Stop IGBTs

STMicroelectronics 650V M Series Trench Gate Field-Stop IGBTs are developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. STMicroelectronics 650V M series supply a 3A-150A maximum collector current for applications with up to 100kHz operating frequency. The IGBTs have an optimized design and are available in a tailored built-in anti-parallel diode. A positive VCE(sat) temperature coefficient and tight parameter distribution result in safer paralleling operation.

재고 상태: 3

재고:
3 즉시 배송 가능
공장 리드 타임:
20 주 표시된 것보다 많은 수량에 대한 추정 공장 생산 시간입니다.
최소: 1   배수: 1
단가:
₩-
합계:
₩-
예상 관세:

가격 (KRW)

수량 단가
합계
₩3,416.4 ₩3,416
₩1,622.4 ₩16,224
₩1,285.4 ₩128,540
₩1,098.2 ₩549,100
₩1,018.7 ₩1,018,700
₩934.4 ₩1,868,800
₩903.2 ₩3,612,800
₩848.6 ₩8,486,000

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