STGD6M65DF2

Name: STMicroelectronics STGD6M65DF2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGD6M65DF2
Price: 2365 KRW
Availability: InStock

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Mouser 번호:

511-STGD6M65DF2

제조업체 번호:

STGD6M65DF2

제조업체:

STMicroelectronics

설명:

IGBT Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 6 A low loss

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데이터시트:

STGD6M65DF2 데이터시트 (PDF)

ECAD 모델:

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포장:

전체 릴(2500의 배수로 주문)

컷 테이프

MouseReel™ (+₩8,000)

가격 (KRW)

수량	단가	합계
컷 테이프/MouseReel™ ^†
	₩2,365.2	₩2,365
	₩1,503.8	₩15,038
	₩1,000.1	₩100,010
	₩788.4	₩394,200
	₩718.3	₩718,300
전체 릴(2500의 배수로 주문)
	₩640.9	₩1,602,250
	₩570.9	₩2,854,500
	₩569.4	₩5,694,000

† ₩8,000 MouseReel™ 수수료는 장바구니에 더해져 계산됩니다. 모든 MouseReel™ 주문은 취소 및 환불이 불가능합니다. ↩

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제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	STMicroelectronics
제품 카테고리:	IGBT
RoHS:
기술:	Si
패키지/케이스:	DPAK-3 (TO-252-3)
장착 스타일:	SMD/SMT
구성:	Single
콜렉터- 최대 이미터 전압 VCEO:	650 V
콜렉터-이미터 포화 전압:	1.55 V
최대 게이트 이미터 전압:	- 20 V, 20 V
25 C의 지속적인 컬렉터 전류:	12 A
Pd - 전력 발산:	88 W
최저 작동온도:	- 55 C
최고 작동온도:	+ 175 C
시리즈:	STGD6M65DF2
포장:	Reel
포장:	Cut Tape
포장:	MouseReel
브랜드:	STMicroelectronics
최대 연속 콜렉터 전류 Ic :	12 A
게이트-이미터 누설 전류:	+/- 250 uA
제품 유형:	IGBT Transistors
팩토리 팩 수량:	2500
하위 범주:	IGBTs
단위 중량:	330 mg

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문서 필터:

데이터시트

STGD6M65DF2 데이터시트 (PDF)

PCN

KRHTS:: 8541299000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

STM 650V M Series Trench Gate Field-Stop IGBTs

STMicroelectronics 650V M Series Trench Gate Field-Stop IGBTs are developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. STMicroelectronics 650V M series supply a 3A-150A maximum collector current for applications with up to 100kHz operating frequency. The IGBTs have an optimized design and are available in a tailored built-in anti-parallel diode. A positive V_CE(sat) temperature coefficient and tight parameter distribution result in safer paralleling operation.

IGBT V Series

STMicroelectronics 600V trench-gate field-stop very high-speed IGBT V series features the industry's lowest Eoff. Combined with a saturation voltage as low as 1.8V and a maximum operating junction temperature of 175°C, they enable increased system efficiency, higher switching frequencies (up to 120kHz), and simplified thermal and EMI design.