STD80N340K6

STMicroelectronics
511-STD80N340K6
STD80N340K6

제조업체:

설명:
MOSFET N-channel 800 V, 285 mOhm typ., 12 A MDmesh K6 Power MOSFET

ECAD 모델:
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재고 상태: 2,560

재고:
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단가:
₩-
합계:
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예상 관세:
포장:
전체 릴(2500의 배수로 주문)

가격 (KRW)

수량 단가
합계
컷 테이프/MouseReel™
₩6,378.8 ₩6,379
₩4,203.2 ₩42,032
₩2,974.8 ₩297,480
₩2,723.2 ₩1,361,600
₩2,708.4 ₩2,708,400
전체 릴(2500의 배수로 주문)
₩2,294 ₩5,735,000
₩2,205.2 ₩11,026,000
† ₩8,000 MouseReel™ 수수료는 장바구니에 더해져 계산됩니다. 모든 MouseReel™ 주문은 취소 및 환불이 불가능합니다.

제품 속성 속성 값 속성 선택
STMicroelectronics
제품 카테고리: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
800 V
12 A
340 mOhms
- 10 V, 10 V
3 V
17.8 nC
- 55 C
+ 150 C
92 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
브랜드: STMicroelectronics
하강 시간: 11 ns
제품 유형: MOSFETs
상승 시간: 4.9 ns
팩토리 팩 수량: 2500
하위 범주: Transistors
표준 턴-오프 지연 시간: 34 ns
표준 턴-온 지연 시간: 13 ns
단위 중량: 330 mg
제품을 찾음:
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속성 선택됨: 0

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

N-채널 MDmesh K6 전력 MOSFET

STMicroelectronics  N-채널 MDmesh K6 전력 MOSFET은 제너 보호와 100% Avalanche 테스트를 거친 제품입니다. 이 전력 MOSFET는 800V의 최소 드레인-소스 전압, ±30V 게이트-소스 전압, -55°C~150°C의 작동 접합부 온도 범위가 특징입니다. MDmesh K6 전력 MOSFET은 5V/ns 피크 다이오드 복구 전압 슬로프, 100μA/µs 피크 다이오드 복구 전류 슬로프, 120V/ns MOSFET dv/dt 견고성이 특징입니다. 일반적으로 노트북과 AIO, 플라이백 컨버터, 태블릿용 어댑터, LED 조명에 사용됩니다.

STP80N240K6 MDmesh K6 전력 MOSFET

STMicroelectronics STP80N240K6 MDmesh K6 전력 MOSFET은 초접합 기술에 대한 20년의 STM 경험을 바탕으로 구축된 최고의 MDmesh K6 기술을 기반으로 합니다. 고전압 N 채널 전력 MOSFET은 초저 게이트 전하와 우수한 RDS(on) x 면적을 제공합니다. ST STP80N240K6 800V 전력 MOSFET은 우수한 전력 밀도와 높은 효율이 요구되는 애플리케이션을 위한 면적당 동급 최고의 온 상태 저항 및 게이트 전하가 특징입니다.