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SSM6N67NU,LF

Name: Toshiba SSM6N67NU,LF
Brand: Toshiba
SKU: 757-SSM6N67NULF
Price: 890 KRW
Availability: InStock

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Mouser 번호:

757-SSM6N67NULF

제조업체 번호:

SSM6N67NU,LF

제조업체:

Toshiba

설명:

MOSFET LowON Res MOSFET ID=4A VDSS=30V

데이터시트:

SSM6N67NU,LF 데이터시트 (PDF)

ECAD 모델:

무료 라이브러리 로더를 다운로드하여 이 파일을 ECAD 도구용으로 변환하십시오. ECAD 모델에 대해 자세히 알아보기

추가 정보

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재고 상태: 30,311

재고:: 30,311

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주문 중:: 45,000

예상 2026-03-06

72,000

예상 2026-05-04
공장 리드 타임:: 16

주 표시된 것보다 많은 수량에 대한 추정 공장 생산 시간입니다.

수량 입력:

최소: 1 배수: 1

단가:

₩-

합계:

₩-

예상 관세:

포장:

전체 릴(3000의 배수로 주문)

컷 테이프

MouseReel™ (+₩8,000)

가격 (KRW)

수량	단가	합계
컷 테이프/MouseReel™ ^†
	₩890.6	₩891
	₩553.3	₩5,533
	₩354.8	₩35,480
	₩268.6	₩134,300
	₩238	₩238,000
전체 릴(3000의 배수로 주문)
	₩194.2	₩582,600
	₩179.6	₩1,077,600
	₩154.8	₩1,393,200
	₩148.9	₩3,573,600

† ₩8,000 MouseReel™ 수수료는 장바구니에 더해져 계산됩니다. 모든 MouseReel™ 주문은 취소 및 환불이 불가능합니다. ↩

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제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	Toshiba
제품 카테고리:	MOSFET
RoHS:
기술:	Si
장착 스타일:	SMD/SMT
패키지/케이스:	UDFN-6
트랜지스터 극성:	N-Channel
채널 수:	2 Channel
Vds - 드레인 소스 항복 전압:	30 V
Id - 연속 드레인 전류:	4 A
Rds On - 드레인 소스 저항:	39.1 mOhms
Vgs - 게이트 소스 전압:	- 8 V, 12 V
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압:	400 mV
Qg - 게이트 전하:	3.2 nC
최저 작동온도:	- 55 C
최고 작동온도:	+ 150 C
Pd - 전력 발산:	1 W
채널 모드:	Enhancement
자격:	AEC-Q101
상표명:	U-MOSVII-H
포장:	Reel
포장:	Cut Tape
포장:	MouseReel
브랜드:	Toshiba
구성:	Dual
순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소:	6 S
제품 유형:	MOSFETs
시리즈:	SSM6N67NU
팩토리 팩 수량:	3000
하위 범주:	Transistors
트랜지스터 타입:	1 N-Channel
표준 턴-오프 지연 시간:	17 ns
표준 턴-온 지연 시간:	26 ns
단위 중량:	8.500 mg

제품을 찾음:

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속성 선택됨: 0

                        
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation Automotive products 
may be used as engineering samples, however; they are not intended for 
volume automotive production or reliability testing without prior 
approval by Toshiba Semiconductor and Storage. 
Please contact a Mouser Technical Sales Representative for 
further assistance.
5-0320-2

문서 필터:

데이터시트

SSM6N67NU,LF 데이터시트 (PDF)

Application Notes

Models

Product Catalogs

Test/Quality Data

Reliability Tests Report

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Semi Power MOSFETs

Toshiba Semi Power MOSFETs are designed with advanced technologies, achieving low R_ON characteristics. The Semi Power MOSFETs are very compact and thin at 2 x 2mm and 2.9 x 2.8mm, offering the low loss and compact size MOSFETs required for battery-powered devices such as smartphones and wearable devices.

U-MOSVII-H MOSFETs

Toshiba U-MOSVII-H MOSFETs are logic-level gate drive and low-voltage gate drive devices offered in both single-channel and dual-channel variants. These devices have a drain-source voltage range of 12V to 60V and a continuous drain current range from 0.15m to 9.0A. Toshiba U-MOSVII-H MOSFETs are offered in a wide range of compact, surface-mounted package types, making them ideal for high-density applications.