SSM6K341NU,LF

Toshiba
757-SSM6K341NULF
SSM6K341NU,LF

제조업체:

설명:
MOSFET LowON Res MOSFET ID=6A VDSS=100V

데이터시트:
ECAD 모델:
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추가 정보
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재고 상태: 590,951

재고:
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최소: 1   배수: 1
단가:
₩-
합계:
₩-
예상 관세:
포장:
전체 릴(3000의 배수로 주문)

가격 (KRW)

수량 단가
합계
컷 테이프/MouseReel™ †
₩1,007.4 ₩1,007
₩626.3 ₩6,263
₩411.7 ₩41,170
₩315.4 ₩157,700
₩275.9 ₩275,900
전체 릴(3000의 배수로 주문)
₩235.1 ₩705,300
₩214.6 ₩1,287,600
₩186.9 ₩1,682,100
† ₩8,000 MouseReel™ 수수료는 장바구니에 더해져 계산됩니다. 모든 MouseReel™ 주문은 취소 및 환불이 불가능합니다. ↩

제품 속성 속성 값 속성 선택
Toshiba
제품 카테고리: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
UDFN-6
N-Channel
1 Channel
60 V
6 A
28 mOhms
- 20 V, 20 V
1.5 V
9.3 nC
- 55 C
+ 150 C
1.25 W
Enhancement
U-MOSVIII-H
Reel
Cut Tape
MouseReel
브랜드: Toshiba
구성: Single
하강 시간: 6 ns
제품 유형: MOSFETs
상승 시간: 48 ns
시리즈: SSM6K
팩토리 팩 수량: 3000
하위 범주: Transistors
트랜지스터 타입: 1 N-Channel
표준 턴-오프 지연 시간: 18 ns
표준 턴-온 지연 시간: 63 ns
단위 중량: 8.500 mg
제품을 찾음:
유사 제품을 표시하려면 확인란을 하나 이상 선택하십시오.
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속성 선택됨: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

Semi Power MOSFETs

Toshiba Semi Power MOSFETs are designed with advanced technologies, achieving low RON characteristics. The Semi Power MOSFETs are very compact and thin at 2 x 2mm and 2.9 x 2.8mm, offering the low loss and compact size MOSFETs required for battery-powered devices such as smartphones and wearable devices.

MOSFETs for Industrial & Lighting Applications

Toshiba 60V and 100V Power MOSFETs for Industrial and Lighting Applications include the 60V SSM3K341 and the 100V SSM3K361 families. These MOSFETs feature industry-leading low on-resistance and are suited to load switching in television and industrial lighting. The devices are also good candidates for industrial automation systems that require low to medium power.

서버 솔루션

Toshiba 서버 솔루션은 효율성과 성능을 극대화하는 솔루션으로 빅데이터와 IoT 혁명의 미래입니다. 서버 설계는 고효율, 강력한 열 기능 및 격리를 통한 강력한 보호와 같은 까다로운 요구 사항이 많은 복잡한 작업입니다.

SSM6x N 및 P 채널 MOSFET

고속 스위칭 기능을 갖춘 Toshiba SSM6x N 채널 및 P 채널 MOSFET은 전력 관리 및 아날로그 스위치로 작동합니다. 이 MOSFET은 다양한 게이트-소스 전압 범위에 대해 매우 낮은 온 저항(최저 1.1mΩ ~ 최대 115mΩ)을 제공합니다. SSM6x MOSFET은 표면 실장 호환성을 갖춘 소형 프로파일 패키지로 제공됩니다. 이 MOSFET은 낮은 드레인-소스 온 저항을 제공하고 DC-DC 컨버터로 작동하며 1.2~4.5V 게이트 전압을 구동합니다. Toshiba SSM6x MOSFET은 더 적은 드레인 전력 손실(최대 150mW)을 제공하여 12~100V 입력 전압 범위 내에서 작동하면서 더 적은 열을 발생시킵니다.

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