SSM6J511NU,LF

Name: Toshiba SSM6J511NU,LF
Brand: Toshiba
SKU: 757-SSM6J511NULF
Price: 905 KRW
Availability: OutOfStock

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Mouser 번호:

757-SSM6J511NULF

제조업체 번호:

SSM6J511NU,LF

제조업체:

Toshiba

설명:

MOSFET Small-signal MOSFET Power MGMT switch

데이터시트:

SSM6J511NU,LF 데이터시트 (PDF)

ECAD 모델:

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MouseReel™ (+₩8,000)

가격 (KRW)

수량	단가	합계
컷 테이프/MouseReel™ ^†
	₩905.2	₩905
	₩557.7	₩5,577
	₩357.7	₩35,770
	₩270.1	₩135,050
	₩240.9	₩240,900
전체 릴(3000의 배수로 주문)
	₩198.6	₩595,800
	₩181	₩1,086,000
	₩156.2	₩1,405,800
	₩151.8	₩3,643,200

† ₩8,000 MouseReel™ 수수료는 장바구니에 더해져 계산됩니다. 모든 MouseReel™ 주문은 취소 및 환불이 불가능합니다. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	Toshiba
제품 카테고리:	MOSFET
RoHS:
기술:	Si
장착 스타일:	SMD/SMT
패키지/케이스:	UDFN-6
트랜지스터 극성:	P-Channel
채널 수:	1 Channel
Vds - 드레인 소스 항복 전압:	12 V
Id - 연속 드레인 전류:	14 A
Rds On - 드레인 소스 저항:	6.5 mOhms
Vgs - 게이트 소스 전압:	- 10 V, 10 V
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압:	1 V
Qg - 게이트 전하:	47 nC
최저 작동온도:	- 55 C
최고 작동온도:	+ 150 C
Pd - 전력 발산:	1.25 W
채널 모드:	Enhancement
상표명:	U-MOSVII
포장:	Reel
포장:	Cut Tape
포장:	MouseReel
브랜드:	Toshiba
구성:	Single
순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소:	27 S
제품 유형:	MOSFETs
시리즈:	SSM6J511
팩토리 팩 수량:	3000
하위 범주:	Transistors
트랜지스터 타입:	1 P-Channel
단위 중량:	8.500 mg

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속성 선택됨: 0

문서 필터:

데이터시트

SSM6J511NU,LF 데이터시트 (PDF)

Application Notes

Models

Product Catalogs

Test/Quality Data

Reliability Tests Report

KRHTS:: 8541299000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

U-MOSVII MOSFETs

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Semi Power MOSFETs

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