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SSM6J507NU,LF

Name: Toshiba SSM6J507NU,LF
Brand: Toshiba
SKU: 757-SSM6J507NULF
Price: 1080 KRW
Availability: InStock

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Mouser 번호:

757-SSM6J507NULF

제조업체 번호:

SSM6J507NU,LF

제조업체:

Toshiba

설명:

MOSFET Small Signal MOSFET V=30V, I-10A

데이터시트:

SSM6J507NU,LF 데이터시트 (PDF)

ECAD 모델:

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추가 정보

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재고 상태: 18,824

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공장 리드 타임:: 14 주 표시된 것보다 많은 수량에 대한 추정 공장 생산 시간입니다.

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최소: 1 배수: 1

단가:

₩-

합계:

₩-

예상 관세:

포장:

전체 릴(3000의 배수로 주문)

컷 테이프

MouseReel™ (+₩8,000)

가격 (KRW)

수량	단가	합계
컷 테이프/MouseReel™ ^†
	₩1,080.4	₩1,080
	₩667.5	₩6,675
	₩429.2	₩42,920
	₩327.1	₩163,550
	₩293	₩293,000
전체 릴(3000의 배수로 주문)
	₩244.2	₩732,600
	₩225	₩1,350,000
	₩195.4	₩1,758,600
	₩185	₩4,440,000

† ₩8,000 MouseReel™ 수수료는 장바구니에 더해져 계산됩니다. 모든 MouseReel™ 주문은 취소 및 환불이 불가능합니다. ↩

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제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	Toshiba
제품 카테고리:	MOSFET
RoHS:
기술:	Si
장착 스타일:	SMD/SMT
패키지/케이스:	UDFN-6
트랜지스터 극성:	P-Channel
채널 수:	1 Channel
Vds - 드레인 소스 항복 전압:	30 V
Id - 연속 드레인 전류:	10 A
Rds On - 드레인 소스 저항:	20 mOhms
Vgs - 게이트 소스 전압:	- 25 V, 20 V
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압:	1 V
Qg - 게이트 전하:	13.6 nC
최저 작동온도:	- 55 C
최고 작동온도:	+ 150 C
Pd - 전력 발산:	2.5 W
채널 모드:	Enhancement
상표명:	U-MOSVI
포장:	Reel
포장:	Cut Tape
포장:	MouseReel
브랜드:	Toshiba
구성:	Single
제품 유형:	MOSFETs
시리즈:	SSM6J507
팩토리 팩 수량:	3000
하위 범주:	Transistors
트랜지스터 타입:	1 P-Channel
표준 턴-오프 지연 시간:	170 ns
표준 턴-온 지연 시간:	55 ns
단위 중량:	8.500 mg

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속성 선택됨: 0

문서 필터:

데이터시트

SSM6J507NU,LF 데이터시트 (PDF)

Application Notes

Models

Product Catalogs

Test/Quality Data

Reliability Tests Report

KRHTS:: 8541299000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

U-MOSVI Small Signal MOSFETs

Toshiba U-MOSVI Small Signal MOSFETs offer a variety of gate drive voltages required for many different types of mobile devices. They are available in single, dual, N-channel, P-channel and various voltage versions, providing a wide variety of options for designers. Each MOSFET addresses the need to support high-current charging with low voltage and low R_DS(on) requirements. The compact packages and and low voltage operation make Toshiba U-MOSVI Small Signal MOSFETs an ideal solution for high-density packaging requirements in smart phones and game consoles.

Semi Power MOSFETs

Toshiba Semi Power MOSFETs are designed with advanced technologies, achieving low R_ON characteristics. The Semi Power MOSFETs are very compact and thin at 2 x 2mm and 2.9 x 2.8mm, offering the low loss and compact size MOSFETs required for battery-powered devices such as smartphones and wearable devices.

USB Type-C™ Data Mux & Power Delivery Switches

Toshiba USB Type-C™ Data Mux and Power Delivery Switches support new features and new technology in mobile applications. Devices are charged with USB Power Delivery systems with higher charging voltages than before. For example, a 100W charging system delivers 20V/5A and would require a 30V-tolerant switch. Toshiba provides low-resistance 30V switches, including MOSFETs and IC switches, that provide overvoltage protection and slew rate control.