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SSM3K345R,LF

Name: Toshiba SSM3K345R,LF
Brand: Toshiba
SKU: 757-SSM3K345RLF
Price: 627 KRW
Availability: InStock

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Mouser 번호:

757-SSM3K345RLF

제조업체 번호:

SSM3K345R,LF

제조업체:

Toshiba

설명:

MOSFET LowON Res MOSFET ID=4A VDSS=20V

데이터시트:

SSM3K345R,LF 데이터시트 (PDF)

ECAD 모델:

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추가 정보

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재고 상태: 49,519

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공장 리드 타임:: 18 주 표시된 것보다 많은 수량에 대한 추정 공장 생산 시간입니다.

수량 입력:

최소: 1 배수: 1

단가:

₩-

합계:

₩-

예상 관세:

포장:

전체 릴(3000의 배수로 주문)

컷 테이프

MouseReel™ (+₩8,000)

가격 (KRW)

수량	단가	합계
컷 테이프/MouseReel™ ^†
	₩627.8	₩628
	₩293.5	₩2,935
	₩238	₩23,800
	₩184	₩92,000
	₩163.5	₩163,500
전체 릴(3000의 배수로 주문)
	₩113.9	₩341,700
	₩112.4	₩674,400
	₩109.5	₩985,500
	₩105.1	₩2,522,400

† ₩8,000 MouseReel™ 수수료는 장바구니에 더해져 계산됩니다. 모든 MouseReel™ 주문은 취소 및 환불이 불가능합니다. ↩

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제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	Toshiba
제품 카테고리:	MOSFET
RoHS:
기술:	Si
장착 스타일:	SMD/SMT
패키지/케이스:	SOT-23F-3
트랜지스터 극성:	N-Channel
채널 수:	1 Channel
Vds - 드레인 소스 항복 전압:	20 V
Id - 연속 드레인 전류:	4 A
Rds On - 드레인 소스 저항:	25 mOhms
Vgs - 게이트 소스 전압:	- 8 V, 8 V
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압:	400 mV
Qg - 게이트 전하:	3.6 nC
최저 작동온도:	- 55 C
최고 작동온도:	+ 150 C
Pd - 전력 발산:	2 W
채널 모드:	Enhancement
상표명:	U-MOSVI
포장:	Reel
포장:	Cut Tape
포장:	MouseReel
브랜드:	Toshiba
구성:	Single
제품 유형:	MOSFETs
시리즈:	SSM3K345R
팩토리 팩 수량:	3000
하위 범주:	Transistors
트랜지스터 타입:	1 N-Channel
표준 턴-오프 지연 시간:	45 ns
표준 턴-온 지연 시간:	25 ns
단위 중량:	11 mg

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속성 선택됨: 0

문서 필터:

데이터시트

SSM3K345R,LF 데이터시트 (PDF)

Application Notes

Models

Product Catalogs

Test/Quality Data

Reliability Tests Report

KRHTS:: 8541299000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

U-MOSVI Small Signal MOSFETs

Toshiba U-MOSVI Small Signal MOSFETs offer a variety of gate drive voltages required for many different types of mobile devices. They are available in single, dual, N-channel, P-channel and various voltage versions, providing a wide variety of options for designers. Each MOSFET addresses the need to support high-current charging with low voltage and low R_DS(on) requirements. The compact packages and and low voltage operation make Toshiba U-MOSVI Small Signal MOSFETs an ideal solution for high-density packaging requirements in smart phones and game consoles.

SSM3 High Current MOSFETs

Toshiba SSM3 High Current MOSFETs provide a high drain current rating, low capacitance, low on-resistance, and fast switching. Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors (MOSFETs) are semiconductor devices used for switching and amplifying electronic signals in electronic devices. Toshiba SSM3 High Current MOSFETs are ideal for mobile devices (wearable devices, smartphones, tablet PCs, etc.), load switches, DC-DC converters, and general-purpose switches.

Semi Power MOSFETs

Toshiba Semi Power MOSFETs are designed with advanced technologies, achieving low R_ON characteristics. The Semi Power MOSFETs are very compact and thin at 2 x 2mm and 2.9 x 2.8mm, offering the low loss and compact size MOSFETs required for battery-powered devices such as smartphones and wearable devices.