SSM3K333R,LF

Toshiba
757-SSM3K333RLF
SSM3K333R,LF

제조업체:

설명:
MOSFET SM Sig N-CH MOS 30V 6A 20V VGSS

데이터시트:
ECAD 모델:
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재고:
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최소: 1   배수: 1
단가:
₩-
합계:
₩-
예상 관세:
포장:
전체 릴(3000의 배수로 주문)

가격 (KRW)

수량 단가
합계
컷 테이프/MouseReel™ †
₩657 ₩657
₩407.3 ₩4,073
₩257 ₩25,700
₩192.7 ₩96,350
₩170.8 ₩170,800
전체 릴(3000의 배수로 주문)
₩140.2 ₩420,600
₩127 ₩762,000
₩108 ₩972,000
₩106.6 ₩2,558,400
† ₩8,000 MouseReel™ 수수료는 장바구니에 더해져 계산됩니다. 모든 MouseReel™ 주문은 취소 및 환불이 불가능합니다. ↩

제품 속성 속성 값 속성 선택
Toshiba
제품 카테고리: MOSFET
RoHS:  
Si
N-Channel
1 Channel
AEC-Q100
U-MOSVII-H
Reel
Cut Tape
MouseReel
브랜드: Toshiba
구성: Single
제품 유형: MOSFETs
시리즈: SSM3K333
팩토리 팩 수량: 3000
하위 범주: Transistors
트랜지스터 타입: 1 N-Channel
단위 중량: 11 mg
제품을 찾음:
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속성 선택됨: 0 

                        
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation Automotive products 
may be used as engineering samples, however; they are not intended for 
volume automotive production or reliability testing without prior 
approval by Toshiba Semiconductor and Storage. 
Please contact a Mouser Technical Sales Representative for 
further assistance.
5-0320-2

KRHTS:
8541299000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

SSM3K333R 30V N-Channel MOSFET

Toshiba SSM3K333R 30V N-Channel MOSFET is designed for small mobile devices. This MOSFET employs the Gen 7 N-channel process and is mounted on the SOT-23F package, which offers good radiation performance and low on-resistance (RDS(on)). Typical applications for Toshiba SSM3K333R 30V N-Channel MOSFET include power management switch and high-speed switching.

Semi Power MOSFETs

Toshiba Semi Power MOSFETs are designed with advanced technologies, achieving low RON characteristics. The Semi Power MOSFETs are very compact and thin at 2 x 2mm and 2.9 x 2.8mm, offering the low loss and compact size MOSFETs required for battery-powered devices such as smartphones and wearable devices.

U-MOSVII-H MOSFETs

Toshiba U-MOSVII-H MOSFETs are logic-level gate drive and low-voltage gate drive devices offered in both single-channel and dual-channel variants. These devices have a drain-source voltage range of 12V to 60V and a continuous drain current range from 0.15m to 9.0A. Toshiba U-MOSVII-H MOSFETs are offered in a wide range of compact, surface-mounted package types, making them ideal for high-density applications.

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