SSM3K324R,LF

Toshiba
757-SSM3K324RLF
SSM3K324R,LF

제조업체:

설명:
MOSFET N-Ch U-MOSVI FET ID 4A 30VDSS 200pF

데이터시트:
ECAD 모델:
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재고 상태: 24,968

재고:
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공장 리드 타임:
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단가:
₩-
합계:
₩-
예상 관세:
포장:
전체 릴(3000의 배수로 주문)

가격 (KRW)

수량 단가
합계
컷 테이프/MouseReel™ †
₩562.4 ₩562
₩344.8 ₩3,448
₩219 ₩21,900
₩162.8 ₩81,400
₩145 ₩145,000
전체 릴(3000의 배수로 주문)
₩119.9 ₩359,700
₩108 ₩648,000
₩91.8 ₩826,200
₩79.9 ₩1,917,600
† ₩8,000 MouseReel™ 수수료는 장바구니에 더해져 계산됩니다. 모든 MouseReel™ 주문은 취소 및 환불이 불가능합니다. ↩

제품 속성 속성 값 속성 선택
Toshiba
제품 카테고리: MOSFET
RoHS:  
Si
N-Channel
1 Channel
U-MOSVII-H
Reel
Cut Tape
MouseReel
브랜드: Toshiba
구성: Single
제품 유형: MOSFETs
시리즈: SSM3K324
팩토리 팩 수량: 3000
하위 범주: Transistors
트랜지스터 타입: 1 N-Channel
단위 중량: 11 mg
제품을 찾음:
유사 제품을 표시하려면 확인란을 하나 이상 선택하십시오.
이 카테고리에 유사 제품을 표시하려면 확인란을 하나 이상 선택하십시오.
속성 선택됨: 0

KRHTS:
8541299000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

U-MOSVI Small Signal MOSFETs

Toshiba U-MOSVI Small Signal MOSFETs offer a variety of gate drive voltages required for many different types of mobile devices. They are available in single, dual, N-channel, P-channel and various voltage versions, providing a wide variety of options for designers. Each MOSFET addresses the need to support high-current charging with low voltage and low RDS(on) requirements. The compact packages and and low voltage operation make Toshiba U-MOSVI Small Signal MOSFETs an ideal solution for high-density packaging requirements in smart phones and game consoles.

이산 SSD(솔리드 스테이트 드라이브) 솔루션

Toshiba 이산 SSD(솔리드 스테이트 드라이브) 솔루션은 TVS, SBD(쇼트키 배리어 다이오드), LDO, 로드 스위치 IC 및 새로운 강력한 eFuse IC로 최신 요구 사항을 충족하는 광범위한 제품 라인업을 갖추고 있습니다. 이 SSD는 기존 HDD(하드 디스크 드라이브)보다 데이터를 신속하게 분석할 수 있습니다. SSD 기술이 개선됨에 따라, 중요한 데이터를 고장으로부터 안전하게 보호하는 보호 기능과 함께 점점 엄격해지는 전력 요구를 충족하는 전원 회로가 필요합니다. Toshiba는 핫 플러그 동안 비정상적인 입력 전원 조건과 과전압 서지를 처리하도록 설계된 전원 입력, 보호 IC 및 다이오드를 제어하기 위한 광범위한 로드 스위치 및 MOSFET 라인업을 제공합니다.

U-MOSVII-H MOSFETs

Toshiba U-MOSVII-H MOSFETs are logic-level gate drive and low-voltage gate drive devices offered in both single-channel and dual-channel variants. These devices have a drain-source voltage range of 12V to 60V and a continuous drain current range from 0.15m to 9.0A. Toshiba U-MOSVII-H MOSFETs are offered in a wide range of compact, surface-mounted package types, making them ideal for high-density applications.

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