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SSM3J378R,LF

Name: Toshiba SSM3J378R,LF
Brand: Toshiba
SKU: 757-SSM3J378RLF
Price: 584 KRW
Availability: InStock

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Mouser 번호:

757-SSM3J378RLF

제조업체 번호:

SSM3J378R,LF

제조업체:

Toshiba

설명:

MOSFET Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-6A

데이터시트:

SSM3J378R,LF 데이터시트 (PDF)

ECAD 모델:

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추가 정보

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재고 상태: 5,790

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공장 리드 타임:: 16 주 표시된 것보다 많은 수량에 대한 추정 공장 생산 시간입니다.

수량 입력:

최소: 1 배수: 1

단가:

₩-

합계:

₩-

예상 관세:

포장:

전체 릴(3000의 배수로 주문)

컷 테이프

MouseReel™ (+₩8,000)

가격 (KRW)

수량	단가	합계
컷 테이프/MouseReel™ ^†
	₩584	₩584
	₩362.1	₩3,621
	₩227.8	₩22,780
	₩170.8	₩85,400
	₩140.2	₩140,200
전체 릴(3000의 배수로 주문)
	₩109.5	₩328,500
	₩105.1	₩630,600
	₩84.7	₩762,300
	₩81.8	₩1,963,200

† ₩8,000 MouseReel™ 수수료는 장바구니에 더해져 계산됩니다. 모든 MouseReel™ 주문은 취소 및 환불이 불가능합니다. ↩

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제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	Toshiba
제품 카테고리:	MOSFET
RoHS:
기술:	Si
장착 스타일:	SMD/SMT
패키지/케이스:	SOT-23F-3
트랜지스터 극성:	P-Channel
채널 수:	1 Channel
Vds - 드레인 소스 항복 전압:	20 V
Id - 연속 드레인 전류:	6 A
Rds On - 드레인 소스 저항:	29.8 mOhms
Vgs - 게이트 소스 전압:	- 8 V, 6 V
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압:	1 V
Qg - 게이트 전하:	12.8 nC
최고 작동온도:	+ 150 C
Pd - 전력 발산:	2 W
채널 모드:	Enhancement
자격:	AEC-Q101
상표명:	U-MOSVI
포장:	Reel
포장:	Cut Tape
포장:	MouseReel
브랜드:	Toshiba
구성:	Single
순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소:	4.5 S
제품 유형:	MOSFETs
시리즈:	SSM3J378R
팩토리 팩 수량:	3000
하위 범주:	Transistors
트랜지스터 타입:	1 P-Channel
표준 턴-오프 지연 시간:	107 ns
표준 턴-온 지연 시간:	32 ns
단위 중량:	11 mg

제품을 찾음:

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속성 선택됨: 0

                        
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation Automotive products 
may be used as engineering samples, however; they are not intended for 
volume automotive production or reliability testing without prior 
approval by Toshiba Semiconductor and Storage. 
Please contact a Mouser Technical Sales Representative for 
further assistance.
5-0320-2

문서 필터:

데이터시트

SSM3J378R,LF 데이터시트 (PDF)

Application Notes

Models

Product Catalogs

Test/Quality Data

Reliability Tests Report

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

U-MOSVI Small Signal MOSFETs

Toshiba U-MOSVI Small Signal MOSFETs offer a variety of gate drive voltages required for many different types of mobile devices. They are available in single, dual, N-channel, P-channel and various voltage versions, providing a wide variety of options for designers. Each MOSFET addresses the need to support high-current charging with low voltage and low R_DS(on) requirements. The compact packages and and low voltage operation make Toshiba U-MOSVI Small Signal MOSFETs an ideal solution for high-density packaging requirements in smart phones and game consoles.

Semi Power MOSFETs

Toshiba Semi Power MOSFETs are designed with advanced technologies, achieving low R_ON characteristics. The Semi Power MOSFETs are very compact and thin at 2 x 2mm and 2.9 x 2.8mm, offering the low loss and compact size MOSFETs required for battery-powered devices such as smartphones and wearable devices.

자동차 솔루션

Toshiba 자동차 솔루션은 운전 안전성을 향상하기 위해 설계된 다양한 자동차 반도체 소자를 제공합니다. 여기에는 이미지 인식 프로세서를 사용하는 ADAS(첨단 운전자 보조 시스템)가 포함됩니다. Toshiba는 종합적인 운전자 지원 솔루션을 제공하기 위해 미래의 관점에서 최첨단 반도체 기술을 제공합니다. 이러한 솔루션은 인간의 눈과 다른 복잡한 인간 감각을 모방하는 자율 주행 기능을 포함합니다.