SP8M4HZGTB

Name: ROHM Semiconductor SP8M4HZGTB
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-SP8M4HZGTB
Price: 4613 KRW
Availability: InStock

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Mouser 번호:

755-SP8M4HZGTB

제조업체 번호:

SP8M4HZGTB

제조업체:

ROHM Semiconductor

설명:

MOSFET AECQ

데이터시트:

SP8M4HZGTB 데이터시트 (PDF)

ECAD 모델:

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₩-

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₩-

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가격 (KRW)

수량	단가	합계
	₩4,613.6	₩4,614
	₩3,007.6	₩30,076
	₩2,087.8	₩208,780
	₩1,766.6	₩883,300
	₩1,620.6	₩1,620,600
전체 릴(2500의 배수로 주문)
	₩1,489.2	₩3,723,000
	₩1,435.2	₩7,176,000

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제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	ROHM Semiconductor
제품 카테고리:	MOSFET
RoHS:
기술:	Si
장착 스타일:	SMD/SMT
패키지/케이스:	SOP-8
트랜지스터 극성:	N-Channel, P-Channel
채널 수:	2 Channel
Vds - 드레인 소스 항복 전압:	30 V
Id - 연속 드레인 전류:	9 A, 7 A
Rds On - 드레인 소스 저항:	18 mOhms, 28 mOhms
Vgs - 게이트 소스 전압:	- 20 V, 20 V
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압:	2.5 V, 2.5 V
Qg - 게이트 전하:	15 nC
최저 작동온도:	- 55 C
최고 작동온도:	+ 150 C
Pd - 전력 발산:	2 W
채널 모드:	Enhancement
자격:	AEC-Q101
포장:	Reel
포장:	Cut Tape
브랜드:	ROHM Semiconductor
구성:	Dual
하강 시간:	22 ns, 70 ns
순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소:	6 S, 7 S
제품 유형:	MOSFETs
상승 시간:	15 ns, 50 ns
팩토리 팩 수량:	2500
하위 범주:	Transistors
트랜지스터 타입:	1 N-Channel, 1 P-Channel
표준 턴-오프 지연 시간:	55 ns, 110 ns
표준 턴-온 지연 시간:	10 ns, 20 ns
부품번호 별칭:	SP8M4HZG

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속성 선택됨: 0

                        
ROHM Semiconductors AEC-Q101 qualified products are not 
intended for volume automotive production without ROHM 
Semiconductors prior approval. 

Please contact ROHM Semiconductor for Production Part Approval 
Process (PPAP) requirements or contact a Mouser Technical Sales 
Representative for further assistance. 

5-0617-50

문서 필터:

데이터시트

SP8M4HZGTB 데이터시트 (PDF)

Specification Sheets

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

SPM 전력 MOSFET

ROHM Semiconductor SP8M 전력 MOSFET은 소형 표면 실장 패키지(SOP8)에 내장된 낮은 온 상태 저항 장치입니다. SP8M은 무연 도금이 특징이며 RoHS를 준수합니다. MOSFET도 할로겐이 없고 Sn100% 도금이 되어 있으며 AEC-Q101 인증을 받았습니다.