브라우저에서 자바스크립트를 사용하지 않도록 설정한 것으로 보입니다. 로그인하지 않으면 이 페이지의 일부 기능이 작동하지 않습니다.

SISS54DN-T1-GE3

Name: Vishay SISS54DN-T1-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SISS54DN-T1-GE3
Price: 3359 KRW
Availability: InStock

이미지는 참조용으로만 사용하십시오
제품 사양을 참조하세요

Mouser 번호:

78-SISS54DN-T1-GE3

제조업체 번호:

SISS54DN-T1-GE3

제조업체:

Vishay / Siliconix

설명:

MOSFET PPAK1212 N-CH 30V 51.1A

데이터시트:

SISS54DN-T1-GE3 데이터시트

ECAD 모델:

무료 라이브러리 로더를 다운로드하여 이 파일을 ECAD 도구용으로 변환하십시오. ECAD 모델에 대해 자세히 알아보기

추가 정보

Vishay / Siliconix SISS54DN-T1-GE3에 대해 자세히 알아보십시오.

재고 상태: 19,111

재고:: 19,111 즉시 배송 가능

예기치 않은 오류가 발생했습니다. 나중에 다시 시도하십시오.
공장 리드 타임:: 5 주 표시된 것보다 많은 수량에 대한 추정 공장 생산 시간입니다.

수량 입력:

최소: 1 배수: 1

단가:

₩-

합계:

₩-

예상 관세:

포장:

전체 릴(3000의 배수로 주문)

컷 테이프

MouseReel™ (+₩8,000)

가격 (KRW)

수량	단가	합계
컷 테이프/MouseReel™ ^†
	₩3,359.6	₩3,360
	₩2,175.6	₩21,756
	₩1,494.8	₩149,480
	₩1,185.5	₩592,750
	₩1,150	₩1,150,000
전체 릴(3000의 배수로 주문)
	₩988.6	₩2,965,800
	₩975.3	₩5,851,800
	₩959	₩8,631,000
24,000	견적

† ₩8,000 MouseReel™ 수수료는 장바구니에 더해져 계산됩니다. 모든 MouseReel™ 주문은 취소 및 환불이 불가능합니다. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	Vishay
제품 카테고리:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
기술:	Si
장착 스타일:	SMD/SMT
패키지/케이스:	PowerPAK-1212-8S
트랜지스터 극성:	N-Channel
채널 수:	1 Channel
Vds - 드레인 소스 항복 전압:	30 V
Id - 연속 드레인 전류:	185.6 A
Rds On - 드레인 소스 저항:	1.06 mOhms
Vgs - 게이트 소스 전압:	- 12 V, 16 V
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압:	2.2 V
Qg - 게이트 전하:	47.5 nC
최저 작동온도:	- 55 C
최고 작동온도:	+ 150 C
Pd - 전력 발산:	65.7 W
채널 모드:	Enhancement
상표명:	TrenchFET
포장:	Reel
포장:	Cut Tape
포장:	MouseReel
브랜드:	Vishay / Siliconix
구성:	Single
COA(최종 조립 국가):	Not Available
COD(확산 공정 국가):	Not Available
COO(원산지):	CN
하강 시간:	7 ns
순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소:	117 S
제품 유형:	MOSFETs
상승 시간:	7 ns
시리즈:	SISS
팩토리 팩 수량:	3000
하위 범주:	Transistors
트랜지스터 타입:	TrenchFET Gen V Power MOSFET
표준 턴-오프 지연 시간:	28 ns
표준 턴-온 지연 시간:	12 ns

제품을 찾음:

유사 제품을 표시하려면 확인란을 하나 이상 선택하십시오.

이 카테고리에 유사 제품을 표시하려면 확인란을 하나 이상 선택하십시오.

속성 선택됨: 0

문서 필터:

데이터시트

SISS54DN-T1-GE3 데이터시트

PCN

Product Change Notification (PDF)

Technical Resources

이 기능을 활성화하려면 자바스크립트가 필요합니다.

CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

SiSS52DN 및 SiSS54DN N-채널 TrenchFET® Gen V MOSFET

Vishay/Siliconix SiSS52DN 및 SiSS54DN N-채널 TrenchFET Gen V 전력 MOSFET를 사용하면 매우 낮은 R_DS(on) 로 더 높은 전력 밀도를 구현할 수 있습니다. 이 전력 MOSFET는 30V V_DS및 매우 낮은 RDS x Q_gFOM(성능 지수)을 제공합니다. SiSS52DN N-채널 MOSFET는 일반적으로 162A_ID 및 19.9nC Q_{g를 제공합니다.}반면, SiSS54DN N-채널 MOSFET은 일반적으로 185.6A I_D 및 21nC Q_g 를 제공합니다.이 100% R_g 및 UIS(미클램핑 유도 스위칭) 테스트를 거친 MOSFET는 단일 구성과 함께 열 성능이 향상된 소형 PowerPAK^® 1212-8S 패키지로 제공됩니다. 일반적으로 DC/DC 변환기, PoL(Point-of-부하), 동기식 정류, 전력 및 로드 스위치 및 배터리 관리에 사용됩니다.

TrenchFET® Gen V 전력 MOSFET(VDS 포함)

Vishay/Siliconix TrenchFET^® Gen V 전력 MOSFET은 매우 낮은 R_DS x Q_g FOM(성능 지수)으로 전력 변환 효율을 높입니다. Gen V 전력 MOSFET에는 80V, 100V 및 150V 드레인-소스 항복 전압 옵션이 있습니다. Gen V 전력 MOSFET은 PowerPAK^® 1212-8SH 또는 PowerPAK SO-8 단일 패키지로 제공됩니다.