SISF02DN-T1-GE3

Vishay Semiconductors
78-SISF02DN-T1-GE3
SISF02DN-T1-GE3

제조업체:

설명:
MOSFET PPAK1212 2NCH 25V 30.5A

데이터시트:
ECAD 모델:
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주문 중:
3,580
예상 2026-02-19
공장 리드 타임:
9
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최소: 1   배수: 1
단가:
₩-
합계:
₩-
예상 관세:

가격 (KRW)

수량 단가
합계
₩3,387.2 ₩3,387
₩2,014.8 ₩20,148
₩1,503.8 ₩150,380
전체 아모(Ammo) 포장(3000의 배수로 주문)
₩1,273.1 ₩3,819,300
₩819.1 ₩4,914,600

제품 속성 속성 값 속성 선택
Vishay
제품 카테고리: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
PowerPAK-1212-8
N-Channel
1 Channel
30 V
40 A
2.15 mOhms
- 16 V, 20 V
1.1 V
51 nC
- 55 C
+ 150 C
52 W
Enhancement
PowerPAK
Ammo Pack
브랜드: Vishay Semiconductors
구성: Single
하강 시간: 10 ns
순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소: 105 S
제품 유형: MOSFETs
상승 시간: 17 ns
시리즈: SISF
팩토리 팩 수량: 3000
하위 범주: Transistors
트랜지스터 타입: 1 N-Channel
표준 턴-오프 지연 시간: 25 ns
표준 턴-온 지연 시간: 24 ns
단위 중량: 1 g
제품을 찾음:
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속성 선택됨: 0

CNHTS:
8541290000
TARIC:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

집적 MOSFET 솔루션

Vishay 집적 MOSFET 솔루션은 구성 요소를 단일 모놀리식 칩에 결합하여 전력 밀도와 효율성을 높이고 설계를 간소화하며 BOM(자재명세서) 비용을 절감합니다. 이러한 단일 및 다중 다이 MOSFET은 쇼트키 배리어 다이오드 및 ESD 보호와 같은 기능을 통합합니다. 이러한 MOSFET은 낮은 온 상태 저항 N-채널 및 P-채널 TrenchFET® 기술과 낮은 열 저항이 특징입니다. 

공통 드레인 포함 통합형 MOSFET

Vishay의 공통 드레인 포함 통합형 MOSFET는 표면 장착 기능을 제공하는 1개, 2개, 3개의 채널입니다. 이 통합형 MOSFET은 N 채널 및 N+P 채널 옵션이 있을 뿐 아니라, 항복 전압 범위가 20~200V입니다. 강화 모드 MOSFET은 6개 또는 8개의 핀이 있고, 전력 손실 범위는 1.5~69.4W이며, 온 드레인 소스 저항은 2.15~26mΩ입니다.

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