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SIR632DP-T1-RE3

Name: Vishay SIR632DP-T1-RE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-SIR632DP-T1-RE3
Price: 2856 KRW
Availability: InStock

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Mouser 번호:

78-SIR632DP-T1-RE3

제조업체 번호:

SIR632DP-T1-RE3

제조업체:

Vishay Semiconductors

설명:

MOSFET 150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

데이터시트:

SIR632DP-T1-RE3 데이터시트

ECAD 모델:

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추가 정보

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재고 상태: 6,717

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	₩1,731.6	₩17,316
	₩1,195.8	₩119,580
	₩975.3	₩487,650
	₩886.5	₩886,500
전체 릴(3000의 배수로 주문)
	₩778.5	₩2,335,500
	₩741.5	₩4,449,000

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제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	Vishay
제품 카테고리:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
기술:	Si
장착 스타일:	SMD/SMT
패키지/케이스:	PowerPAK-SO-8
트랜지스터 극성:	N-Channel
채널 수:	1 Channel
Vds - 드레인 소스 항복 전압:	150 V
Id - 연속 드레인 전류:	29 A
Rds On - 드레인 소스 저항:	28.5 mOhms
Vgs - 게이트 소스 전압:	- 20 V, 20 V
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압:	2 V
Qg - 게이트 전하:	21 nC
최저 작동온도:	- 55 C
최고 작동온도:	+ 150 C
Pd - 전력 발산:	69.5 W
채널 모드:	Enhancement
상표명:	TrenchFET, PowerPAK
포장:	Reel
포장:	Cut Tape
브랜드:	Vishay Semiconductors
구성:	Single
하강 시간:	21 ns
순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소:	18 S
제품 유형:	MOSFETs
상승 시간:	27 ns
시리즈:	SIR
팩토리 팩 수량:	3000
하위 범주:	Transistors
트랜지스터 타입:	1 N-Channel
표준 턴-오프 지연 시간:	9 ns
표준 턴-온 지연 시간:	9 ns
단위 중량:	506.600 mg

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속성 선택됨: 0

문서 필터:

데이터시트

SIR632DP-T1-RE3 데이터시트

Models

Technical Resources

REACH Certificate (PDF)

KRHTS:: 8541299000
CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

산업용 전원 솔루션

Vishay는 산업용 전원 공급 장치에 들어가는 반도체와 수동형 구성 요소를 업계에서 가장 광범위한 종류로 구비하고 있습니다. Vishay의 산업용 전원 공급 장치 제품 포트폴리오에는 전력 MOSFET, 전력 IC, 정류기, 다이오드, 커패시터, 저항기, 인덕터 등이 포함됩니다.

ThunderFET® 150-250V MOSFET

Vishay Siliconix ThunderFET^® 150-250V MOSFET는 N채널 극성 유형으로 150V, 200V 및 250V의 V_ds 전압을 포함합니다. 현재 TO-252, PowerPAK SO-8, TO-263 및 TO-220AB와 같은 패키지 유형이 있습니다. SIR692DP 250V 성능 지수(FOM)는 이전 세대보다 42% 낮습니다. SIR692DP는 전력 손실과 관련된 전도를 줄이고 다양한 애플리케이션에서 전력 밀도를 높여줍니다. PowerPAK SO-8 패키지는 패키지 저항과 기생 인덕턴스를 최소화하여 최상의 R_ds, Q_g 및 Q_oss를 달성합니다.
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ThunderFET® Power MOSFETs

Vishay / Siliconix ThunderFET® Power MOSFETs provide low values of on-resistance for 100V MOSFETs with 4.5V ratings. The lower on-resistance translates into lower conduction losses and reduced power consumption for energy-saving green solutions. Vishay / Siliconix ThunderFET Power MOSFETs are optimized for primary-side switching and secondary-side synchronous rectification in isolated DC/DC power supply designs for telecom brick and bus converter applications. The 4.5V rating for on-resistance allows a wide range of PWM and gate driver ICs to be considered.