SIR5607DP-T1-RE3

Vishay / Siliconix
78-SIR5607DP-T1-RE3
SIR5607DP-T1-RE3

제조업체:

설명:
MOSFET P-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET

데이터시트:
ECAD 모델:
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추가 정보
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재고 상태: 8,811

재고:
8,811
즉시 배송 가능
주문 중:
5,825
예상 2026-03-23
공장 리드 타임:
13
주 표시된 것보다 많은 수량에 대한 추정 공장 생산 시간입니다.
최소: 1   배수: 1
단가:
₩-
합계:
₩-
예상 관세:
포장:
전체 릴(3000의 배수로 주문)

가격 (KRW)

수량 단가
합계
컷 테이프/MouseReel™ †
₩4,913.6 ₩4,914
₩3,270.8 ₩32,708
₩2,368 ₩236,800
₩2,086.8 ₩1,043,400
₩2,072 ₩2,072,000
전체 릴(3000의 배수로 주문)
₩1,702 ₩5,106,000
† ₩8,000 MouseReel™ 수수료는 장바구니에 더해져 계산됩니다. 모든 MouseReel™ 주문은 취소 및 환불이 불가능합니다. ↩

제품 속성 속성 값 속성 선택
Vishay
제품 카테고리: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
SO-8
P-Channel
1 Channel
60 V
90.9 A
7 mOhms
- 20 V, 20 V
2.6 V
31.7 nC
- 55 C
+ 150 C
104 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
브랜드: Vishay / Siliconix
구성: Single
하강 시간: 20 ns
순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소: 52 S
제품 유형: MOSFETs
상승 시간: 320 ns
팩토리 팩 수량: 3000
하위 범주: Transistors
표준 턴-오프 지연 시간: 30 ns
표준 턴-온 지연 시간: 45 ns
제품을 찾음:
유사 제품을 표시하려면 확인란을 하나 이상 선택하십시오.
이 카테고리에 유사 제품을 표시하려면 확인란을 하나 이상 선택하십시오.
속성 선택됨: 0

데이터시트

PCN

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

SiSS52DN 및 SiSS54DN N-채널 TrenchFET® Gen V MOSFET

Vishay/Siliconix SiSS52DN 및 SiSS54DN N-채널 TrenchFET Gen V 전력 MOSFET를 사용하면 매우 낮은 RDS(on) 로 더 높은 전력 밀도를 구현할 수 있습니다. 이 전력 MOSFET는 30V VDS및 매우 낮은 RDS x Qg FOM(성능 지수)을 제공합니다.  SiSS52DN N-채널 MOSFET는 일반적으로 162AID 및 19.9nC Qg를 제공합니다. 반면, SiSS54DN N-채널 MOSFET은 일반적으로 185.6A ID 및 21nC Qg 를 제공합니다.이 100% Rg 및 UIS(미클램핑 유도 스위칭) 테스트를 거친 MOSFET는 단일 구성과 함께 열 성능이 향상된 소형 PowerPAK® 1212-8S 패키지로 제공됩니다. 일반적으로 DC/DC 변환기, PoL(Point-of-부하), 동기식 정류, 전력 및 로드 스위치 및 배터리 관리에 사용됩니다.

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