브라우저에서 자바스크립트를 사용하지 않도록 설정한 것으로 보입니다. 로그인하지 않으면 이 페이지의 일부 기능이 작동하지 않습니다.

SIR4606DP-T1-GE3

Name: Vishay SIR4606DP-T1-GE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-SIR4606DP-T1-GE3
Price: 2628 KRW
Availability: InStock

이미지는 참조용으로만 사용하십시오
제품 사양을 참조하세요

Mouser 번호:

78-SIR4606DP-T1-GE3

제조업체 번호:

SIR4606DP-T1-GE3

제조업체:

Vishay Semiconductors

설명:

MOSFET N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET

데이터시트:

SIR4606DP-T1-GE3 데이터시트

ECAD 모델:

무료 라이브러리 로더를 다운로드하여 이 파일을 ECAD 도구용으로 변환하십시오. ECAD 모델에 대해 자세히 알아보기

추가 정보

Vishay Semiconductors SIR4606DP-T1-GE3에 대해 자세히 알아보십시오.

재고 상태: 30,772

재고:: 30,772 즉시 배송 가능

예기치 않은 오류가 발생했습니다. 나중에 다시 시도하십시오.

수량 입력:

최소: 1 배수: 1

단가:

₩-

합계:

₩-

예상 관세:

포장:

전체 릴(3000의 배수로 주문)

컷 테이프

MouseReel™ (+₩8,000)

가격 (KRW)

수량	단가	합계
컷 테이프/MouseReel™ ^†
	₩2,628	₩2,628
	₩1,679	₩16,790
	₩1,121.3	₩112,130
	₩886.2	₩443,100
	₩810.3	₩810,300
전체 릴(3000의 배수로 주문)
	₩728.5	₩2,185,500
	₩705.2	₩4,231,200
	₩696.4	₩16,713,600

† ₩8,000 MouseReel™ 수수료는 장바구니에 더해져 계산됩니다. 모든 MouseReel™ 주문은 취소 및 환불이 불가능합니다. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	Vishay
제품 카테고리:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
기술:	Si
장착 스타일:	SMD/SMT
패키지/케이스:	PowerPAK SO-8
트랜지스터 극성:	N-Channel
채널 수:	1 Channel
Vds - 드레인 소스 항복 전압:	30 V
Id - 연속 드레인 전류:	40 A
Rds On - 드레인 소스 저항:	4.9 mOhms
Vgs - 게이트 소스 전압:	- 20 V, 20 V
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압:	2.4 V
Qg - 게이트 전하:	54 nC
최저 작동온도:	- 55 C
최고 작동온도:	+ 175 C
Pd - 전력 발산:	48 W
채널 모드:	Enhancement
포장:	Reel
포장:	Cut Tape
포장:	MouseReel
브랜드:	Vishay Semiconductors
구성:	Single
하강 시간:	12 ns
순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소:	60 S
제품 유형:	MOSFETs
상승 시간:	9 ns
팩토리 팩 수량:	3000
하위 범주:	Transistors
표준 턴-오프 지연 시간:	28 ns
표준 턴-온 지연 시간:	25 ns

제품을 찾음:

유사 제품을 표시하려면 확인란을 하나 이상 선택하십시오.

이 카테고리에 유사 제품을 표시하려면 확인란을 하나 이상 선택하십시오.

속성 선택됨: 0

문서 필터:

데이터시트

SIR4606DP-T1-GE3 데이터시트

이 기능을 활성화하려면 자바스크립트가 필요합니다.

CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

N-채널 30-45V(D-S) MOSFET

Vishay N-채널 30-45V(D-S) MOSFET은 매우 낮은 RDS Qg FOM(성능 지수)을 제공하는 TrenchFET® Gen IV 전력 MOSFET입니다. 이 장치는 열 전달을 위한 추가 공간을 제공하는 상단 측 냉각 기능을 갖춘 최저 RDS-Qoss FOM용으로 튜닝되었습니다. MOSFET은 100% Rg 및 UIS 테스트를 거쳤습니다.