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SIDR608EP-T1-RE3

Name: Vishay SIDR608EP-T1-RE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-SIDR608EP-T1-RE3
Price: 4736 KRW
Availability: InStock

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Mouser 번호:

78-SIDR608EP-T1-RE3

제조업체 번호:

SIDR608EP-T1-RE3

제조업체:

Vishay Semiconductors

설명:

MOSFET N-CHANNEL 45-V (D-S) 175C MOSFET

데이터시트:

SIDR608EP-T1-RE3 데이터시트

ECAD 모델:

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추가 정보

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재고 상태: 11,400

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최소: 1 배수: 1

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₩-

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₩-

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포장:

전체 릴(3000의 배수로 주문)

컷 테이프

MouseReel™ (+₩8,000)

가격 (KRW)

수량	단가	합계
컷 테이프/MouseReel™ ^†
	₩4,736	₩4,736
	₩3,241.2	₩32,412
	₩2,249.6	₩224,960
	₩1,938.8	₩969,400
	₩1,850	₩1,850,000
전체 릴(3000의 배수로 주문)
	₩1,568.8	₩4,706,400

† ₩8,000 MouseReel™ 수수료는 장바구니에 더해져 계산됩니다. 모든 MouseReel™ 주문은 취소 및 환불이 불가능합니다. ↩

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제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	Vishay
제품 카테고리:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
기술:	Si
장착 스타일:	SMD/SMT
패키지/케이스:	PowerPAK SO-8
트랜지스터 극성:	N-Channel
채널 수:	1 Channel
Vds - 드레인 소스 항복 전압:	40 V
Id - 연속 드레인 전류:	228 A
Rds On - 드레인 소스 저항:	1.36 mOhms
Vgs - 게이트 소스 전압:	- 16 V, 20 V
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압:	2.3 V
Qg - 게이트 전하:	167 nC
최저 작동온도:	- 55 C
최고 작동온도:	+ 175 C
Pd - 전력 발산:	125 W
채널 모드:	Enhancement
포장:	Reel
포장:	Cut Tape
포장:	MouseReel
브랜드:	Vishay Semiconductors
구성:	Single
COA(최종 조립 국가):	Not Available
COD(확산 공정 국가):	Not Available
COO(원산지):	TW
하강 시간:	25 ns
순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소:	120 S
제품 유형:	MOSFETs
상승 시간:	86 ns
시리즈:	SIDR
팩토리 팩 수량:	3000
하위 범주:	Transistors
표준 턴-오프 지연 시간:	50 ns
표준 턴-온 지연 시간:	52 ns

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속성 선택됨: 0

문서 필터:

데이터시트

SIDR608EP-T1-RE3 데이터시트

PCN

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USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

N-채널 30-45V(D-S) MOSFET

Vishay N-채널 30-45V(D-S) MOSFET은 매우 낮은 RDS Qg FOM(성능 지수)을 제공하는 TrenchFET® Gen IV 전력 MOSFET입니다. 이 장치는 열 전달을 위한 추가 공간을 제공하는 상단 측 냉각 기능을 갖춘 최저 RDS-Qoss FOM용으로 튜닝되었습니다. MOSFET은 100% Rg 및 UIS 테스트를 거쳤습니다.