브라우저에서 자바스크립트를 사용하지 않도록 설정한 것으로 보입니다. 로그인하지 않으면 이 페이지의 일부 기능이 작동하지 않습니다.

SI8823EDB-T2-E1

Name: Vishay SI8823EDB-T2-E1
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-SI8823EDB-T2-E1
Price: 799 KRW
Availability: OutOfStock

이미지는 참조용으로만 사용하십시오
제품 사양을 참조하세요

Mouser 번호:

78-SI8823EDB-T2-E1

제조업체 번호:

SI8823EDB-T2-E1

제조업체:

Vishay Semiconductors

설명:

MOSFET -20V Vds 8V Vgs MICRO FOOT

데이터시트:

SI8823EDB-T2-E1 데이터시트

ECAD 모델:

무료 라이브러리 로더를 다운로드하여 이 파일을 ECAD 도구용으로 변환하십시오. ECAD 모델에 대해 자세히 알아보기

추가 정보

Vishay Semiconductors SI8823EDB-T2-E1에 대해 자세히 알아보십시오.

구매 가능 정보

재고:: 0

이 제품을 이월 주문으로 여전히 구매하실 수 있습니다.

예기치 않은 오류가 발생했습니다. 나중에 다시 시도하십시오.
주문 중:: 2,186

예상 2026-03-17

15,000

예상 2026-03-24
공장 리드 타임:: 12

주 표시된 것보다 많은 수량에 대한 추정 공장 생산 시간입니다.

수량 입력:

최소: 1 배수: 1

단가:

₩-

합계:

₩-

예상 관세:

포장:

전체 릴(3000의 배수로 주문)

컷 테이프

MouseReel™ (+₩8,000)

가격 (KRW)

수량	단가	합계
컷 테이프/MouseReel™ ^†
	₩799.2	₩799
	₩500.2	₩5,002
	₩321.2	₩32,120
	₩241.2	₩120,600
	₩216.1	₩216,100
전체 릴(3000의 배수로 주문)
	₩176.1	₩528,300
	₩146.5	₩879,000
	₩137.6	₩1,238,400
	₩131.7	₩3,160,800

† ₩8,000 MouseReel™ 수수료는 장바구니에 더해져 계산됩니다. 모든 MouseReel™ 주문은 취소 및 환불이 불가능합니다. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	Vishay
제품 카테고리:	MOSFET
RoHS:
기술:	Si
장착 스타일:	SMD/SMT
패키지/케이스:	MicroFoot-4
트랜지스터 극성:	P-Channel
채널 수:	1 Channel
Vds - 드레인 소스 항복 전압:	20 V
Id - 연속 드레인 전류:	2.7 A
Rds On - 드레인 소스 저항:	77 mOhms
Vgs - 게이트 소스 전압:	- 8 V, 8 V
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압:	800 mV
Qg - 게이트 전하:	17 nC
최저 작동온도:	- 55 C
최고 작동온도:	+ 150 C
Pd - 전력 발산:	900 mW
채널 모드:	Enhancement
포장:	Reel
포장:	Cut Tape
포장:	MouseReel
브랜드:	Vishay Semiconductors
구성:	Single
COA(최종 조립 국가):	Not Available
COD(확산 공정 국가):	Not Available
COO(원산지):	US
하강 시간:	40 ns
순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소:	6 S
제품 유형:	MOSFETs
상승 시간:	30 ns
시리즈:	SI8
팩토리 팩 수량:	3000
하위 범주:	Transistors
트랜지스터 타입:	1 P-Channel
표준 턴-오프 지연 시간:	60 ns
표준 턴-온 지연 시간:	16 ns
단위 중량:	45.104 mg

제품을 찾음:

유사 제품을 표시하려면 확인란을 하나 이상 선택하십시오.

이 카테고리에 유사 제품을 표시하려면 확인란을 하나 이상 선택하십시오.

속성 선택됨: 0

문서 필터:

데이터시트

SI8823EDB-T2-E1 데이터시트

Models

Technical Resources

REACH Certificate (PDF)

KRHTS:: 8541299000
CNHTS:: 8541210000
TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 8541290100
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Si88xx 8V TrenchFET® Power MOSFETs

Vishay Siliconix Si88xx 8V TrenchFET® Power MOSFETs feature the industry's first n- and p-channel power MOSFET in the industry's smallest 0.8 mm by 0.8 mm chip-scale package, in addition to the first n- and p-channel devices to offer on-resistance (R_DS(on)) ratings down to 1.2 V in this package size. The Si88xx 8V TrenchFET® Power MOSFETs come in the MICRO FOOT® package that occupies up to 36 % less board space than the next smallest chip-scale devices, yet offer comparable − and even lower − on-resistance (R_DS(on)).

MicroFoot® Power MOSFETs

Vishay Siliconix MicroFoot® Power MOSFETs offer low on-resistance (R_DS(on)) in ultra-small and ultra-thin packages. The devices' compact outlines save PCB space and provide ultrathin profiles to enable slimmer and lighter portable electronics. Low on-resistance translates into lower conduction losses for reduced power consumption and longer battery life between charges. The Vishay Siliconix MicroFoot Power MOSFETs low on-resistance also means a lower voltage drop across the load switch to prevent an unwanted under-voltage lockout.