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SI8802DB-T2-E1

Name: Vishay SI8802DB-T2-E1
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 781-SI8802DB-T2-E1
Price: 962 KRW
Availability: InStock

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Mouser 번호:

781-SI8802DB-T2-E1

제조업체 번호:

SI8802DB-T2-E1

제조업체:

Vishay / Siliconix

설명:

MOSFET 8V Vds 5V Vgs MICRO FOOT 0.8 x 0.8

데이터시트:

SI8802DB-T2-E1 데이터시트

ECAD 모델:

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추가 정보

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재고 상태: 5,917

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최소: 1 배수: 1

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₩-

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₩-

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포장:

전체 릴(3000의 배수로 주문)

컷 테이프

MouseReel™ (+₩8,000)

가격 (KRW)

수량	단가	합계
컷 테이프/MouseReel™ ^†
	₩962	₩962
	₩595	₩5,950
	₩381.8	₩38,180
	₩290.1	₩145,050
	₩260.5	₩260,500
전체 릴(3000의 배수로 주문)
	₩204.2	₩612,600
	₩185	₩1,110,000
	₩173.2	₩1,558,800
	₩168.7	₩4,048,800

† ₩8,000 MouseReel™ 수수료는 장바구니에 더해져 계산됩니다. 모든 MouseReel™ 주문은 취소 및 환불이 불가능합니다. ↩

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제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	Vishay
제품 카테고리:	MOSFET
RoHS:
기술:	Si
장착 스타일:	SMD/SMT
패키지/케이스:	MicroFoot-4
트랜지스터 극성:	N-Channel
채널 수:	1 Channel
Vds - 드레인 소스 항복 전압:	8 V
Id - 연속 드레인 전류:	3.5 A
Rds On - 드레인 소스 저항:	54 mOhms
Vgs - 게이트 소스 전압:	- 5 V, 5 V
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압:	350 mV
Qg - 게이트 전하:	4.3 nC
최저 작동온도:	- 55 C
최고 작동온도:	+ 150 C
Pd - 전력 발산:	900 mW
채널 모드:	Enhancement
상표명:	TrenchFET
포장:	Reel
포장:	Cut Tape
포장:	MouseReel
브랜드:	Vishay / Siliconix
구성:	Single
하강 시간:	7 ns
순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소:	13 S
제품 유형:	MOSFETs
상승 시간:	15 ns
시리즈:	SI8
팩토리 팩 수량:	3000
하위 범주:	Transistors
트랜지스터 타입:	1 N-Channel
표준 턴-오프 지연 시간:	22 ns
표준 턴-온 지연 시간:	5 ns
단위 중량:	45.104 mg

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속성 선택됨: 0

문서 필터:

데이터시트

SI8802DB-T2-E1 데이터시트

Models

Technical Resources

REACH Certificate (PDF)

KRHTS:: 8541219000
CNHTS:: 8541210000
TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 8541210101
MXHTS:: 85412101
ECCN:: EAR99

Si88xx 8V TrenchFET® Power MOSFETs

Vishay Siliconix Si88xx 8V TrenchFET® Power MOSFETs feature the industry's first n- and p-channel power MOSFET in the industry's smallest 0.8 mm by 0.8 mm chip-scale package, in addition to the first n- and p-channel devices to offer on-resistance (R_DS(on)) ratings down to 1.2 V in this package size. The Si88xx 8V TrenchFET® Power MOSFETs come in the MICRO FOOT® package that occupies up to 36 % less board space than the next smallest chip-scale devices, yet offer comparable − and even lower − on-resistance (R_DS(on)).

MicroFoot® Power MOSFETs

Vishay Siliconix MicroFoot® Power MOSFETs offer low on-resistance (R_DS(on)) in ultra-small and ultra-thin packages. The devices' compact outlines save PCB space and provide ultrathin profiles to enable slimmer and lighter portable electronics. Low on-resistance translates into lower conduction losses for reduced power consumption and longer battery life between charges. The Vishay Siliconix MicroFoot Power MOSFETs low on-resistance also means a lower voltage drop across the load switch to prevent an unwanted under-voltage lockout.