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SI8800EDB-T2-E1

Name: Vishay SI8800EDB-T2-E1
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 781-SI8800EDB-T2-E1
Price: 1065 KRW
Availability: InStock

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Mouser 번호:

781-SI8800EDB-T2-E1

제조업체 번호:

SI8800EDB-T2-E1

제조업체:

Vishay Semiconductors

설명:

MOSFET 20V Vds 8V Vgs MICRO FOOT 0.8 x 0.8

데이터시트:

SI8800EDB-T2-E1 데이터시트

ECAD 모델:

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추가 정보

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재고 상태: 19,983

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공장 리드 타임:: 4 주 표시된 것보다 많은 수량에 대한 추정 공장 생산 시간입니다.

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최소: 1 배수: 1

단가:

₩-

합계:

₩-

예상 관세:

포장:

전체 릴(3000의 배수로 주문)

컷 테이프

MouseReel™ (+₩8,000)

가격 (KRW)

수량	단가	합계
컷 테이프/MouseReel™ ^†
	₩1,065.6	₩1,066
	₩660.1	₩6,601
	₩424.8	₩42,480
	₩324.1	₩162,050
	₩290.1	₩290,100
전체 릴(3000의 배수로 주문)
	₩279.7	₩839,100
	₩259	₩1,554,000
	₩250.1	₩2,250,900
	₩214.6	₩5,150,400

† ₩8,000 MouseReel™ 수수료는 장바구니에 더해져 계산됩니다. 모든 MouseReel™ 주문은 취소 및 환불이 불가능합니다. ↩

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제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	Vishay
제품 카테고리:	MOSFET
RoHS:
기술:	Si
장착 스타일:	SMD/SMT
패키지/케이스:	MicroFoot-4
트랜지스터 극성:	N-Channel
채널 수:	1 Channel
Vds - 드레인 소스 항복 전압:	20 V
Id - 연속 드레인 전류:	2.8 A
Rds On - 드레인 소스 저항:	80 mOhms
Vgs - 게이트 소스 전압:	- 8 V, 8 V
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압:	400 mV
Qg - 게이트 전하:	8.3 nC
최저 작동온도:	- 55 C
최고 작동온도:	+ 150 C
Pd - 전력 발산:	900 mW
채널 모드:	Enhancement
상표명:	TrenchFET
포장:	Reel
포장:	Cut Tape
포장:	MouseReel
브랜드:	Vishay Semiconductors
구성:	Single
COA(최종 조립 국가):	Not Available
COD(확산 공정 국가):	Not Available
COO(원산지):	US
제품 유형:	MOSFETs
시리즈:	SI8
팩토리 팩 수량:	3000
하위 범주:	Transistors
단위 중량:	279.143 mg

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속성 선택됨: 0

문서 필터:

데이터시트

SI8800EDB-T2-E1 데이터시트

Models

Technical Resources

REACH Certificate (PDF)

KRHTS:: 8541219000
CNHTS:: 8541210000
TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 8541210101
MXHTS:: 85412101
ECCN:: EAR99

MicroFoot® Power MOSFETs

Vishay Siliconix MicroFoot® Power MOSFETs offer low on-resistance (R_DS(on)) in ultra-small and ultra-thin packages. The devices' compact outlines save PCB space and provide ultrathin profiles to enable slimmer and lighter portable electronics. Low on-resistance translates into lower conduction losses for reduced power consumption and longer battery life between charges. The Vishay Siliconix MicroFoot Power MOSFETs low on-resistance also means a lower voltage drop across the load switch to prevent an unwanted under-voltage lockout.