SI8487DB-T1-E1

Vishay Semiconductors
78-SI8487DB-T1-E1
SI8487DB-T1-E1

제조업체:

설명:
MOSFET -30V Vds 12V Vgs MICRO FOOT 1.6 x 1.6

데이터시트:
ECAD 모델:
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추가 정보
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단가:
₩-
합계:
₩-
예상 관세:
포장:
전체 릴(3000의 배수로 주문)

가격 (KRW)

수량 단가
합계
컷 테이프/MouseReel™ †
₩1,406 ₩1,406
₩874.7 ₩8,747
₩569.8 ₩56,980
₩438.1 ₩219,050
₩396.6 ₩396,600
전체 릴(3000의 배수로 주문)
₩340.4 ₩1,021,200
₩312.3 ₩1,873,800
₩275.3 ₩2,477,700
† ₩8,000 MouseReel™ 수수료는 장바구니에 더해져 계산됩니다. 모든 MouseReel™ 주문은 취소 및 환불이 불가능합니다. ↩

제품 속성 속성 값 속성 선택
Vishay
제품 카테고리: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
MicroFoot-4
P-Channel
1 Channel
30 V
7.7 A
25 mOhms
- 12 V, 12 V
1.2 V
80 nC
- 55 C
+ 150 C
2.7 W
Enhancement
TrenchFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
브랜드: Vishay Semiconductors
구성: Single
COA(최종 조립 국가): Not Available
COD(확산 공정 국가): Not Available
COO(원산지): DE
하강 시간: 60 ns
순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소: 16 S
제품 유형: MOSFETs
상승 시간: 22 ns
시리즈: SI8
팩토리 팩 수량: 3000
하위 범주: Transistors
트랜지스터 타입: 1 P-Channel
표준 턴-오프 지연 시간: 195 ns
표준 턴-온 지연 시간: 25 ns
부품번호 별칭: SI8487DB-E1
단위 중량: 45.104 mg
제품을 찾음:
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속성 선택됨: 0

KRHTS:
8541299000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

Si84x7DB 30V P-Channel TrenchFET Gen III MOSFETs

Vishay Siliconix's Si84x7DB 30V P-Channel TrenchFET Gen III MOSFETs set new benchmarks for size and on-resistance. The new Si8497DB is the industry's first 30V chipscale MOSFET in the compact 1 mm by 1.5 mm size, making it the smallest such device on the market, while the Si8487DB provides the lowest on-resistance available for a 30V chipscale device in the 1.6 mm by 1.6 mm form factor. Vishay's TrenchFET Gen III P-channel technology uses advanced process techniques to pack one billion transistor cells into each square inch of silicon. The Si8497DB and Si8487DB will be used for load, battery, and charger switching in handheld devices including smart phones, tablets, point-of-sale (POS) devices, and mobile computing.

MicroFoot® Power MOSFETs

Vishay Siliconix MicroFoot® Power MOSFETs offer low on-resistance (RDS(on)) in ultra-small and ultra-thin packages. The devices' compact outlines save PCB space and provide ultrathin profiles to enable slimmer and lighter portable electronics. Low on-resistance translates into lower conduction losses for reduced power consumption and longer battery life between charges. The Vishay Siliconix MicroFoot Power MOSFETs low on-resistance also means a lower voltage drop across the load switch to prevent an unwanted under-voltage lockout.

산업용 전원 솔루션

Vishay는 산업용 전원 공급 장치에 들어가는 반도체와 수동형 구성 요소를 업계에서 가장 광범위한 종류로 구비하고 있습니다. Vishay의 산업용 전원 공급 장치 제품 포트폴리오에는 전력 MOSFET, 전력 IC, 정류기, 다이오드, 커패시터, 저항기, 인덕터 등이 포함됩니다. 

TrenchFET® MOSFETs

Vishay / Siliconix TrenchFET® MOSFETs feature P- and N-channel silicon technology enabling these devices to provide excellent on-resistance specifications of 1.9mΩ in the PowerPAK® SO-8. Theses MOSFETs have on-resistance as low as half the level of the next best devices on the market. N-Channel MOSFETs offer a 40V to 250V drain-source breakdown voltage range, 375W power dissipation rating, and ThunderFET power depending on the model. The P-Channel MOSFETs feature up to 2 channels, SMD and through-hole mounting, and a 12V to 200V drain-source breakdown voltage range.

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