SH8KE7TB1

Name: ROHM Semiconductor SH8KE7TB1
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-SH8KE7TB1
Price: 4173 KRW
Availability: InStock

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Mouser 번호:

755-SH8KE7TB1

제조업체 번호:

SH8KE7TB1

제조업체:

ROHM Semiconductor

설명:

MOSFET 100V 8A Dual Nch+Nch, SOP8, Power MOSFET

데이터시트:

SH8KE7TB1 데이터시트

ECAD 모델:

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수량	단가	합계
	₩4,173.6	₩4,174
	₩2,708.4	₩27,084
	₩1,864.8	₩186,480
	₩1,524.4	₩762,200
	₩1,460.8	₩1,460,800
전체 릴(2500의 배수로 주문)
	₩1,423.8	₩3,559,500

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제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	ROHM Semiconductor
제품 카테고리:	MOSFET
RoHS:
기술:	Si
장착 스타일:	SMD/SMT
패키지/케이스:	SOP-8
트랜지스터 극성:	N-Channel
채널 수:	2 Channel
Vds - 드레인 소스 항복 전압:	100 V
Id - 연속 드레인 전류:	8 A
Rds On - 드레인 소스 저항:	20.9 mOhms
Vgs - 게이트 소스 전압:	- 20 V, 20 V
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압:	2.5 V
Qg - 게이트 전하:	19.8 nC
최저 작동온도:	- 55 C
최고 작동온도:	+ 150 C
Pd - 전력 발산:	2 W
채널 모드:	Enhancement
포장:	Reel
포장:	Cut Tape
브랜드:	ROHM Semiconductor
구성:	Dual
COA(최종 조립 국가):	Not Available
COD(확산 공정 국가):	Not Available
COO(원산지):	CN
하강 시간:	18 ns
순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소:	7.1 S
제품 유형:	MOSFETs
상승 시간:	22 ns
팩토리 팩 수량:	2500
하위 범주:	Transistors
트랜지스터 타입:	2 N-Channel
표준 턴-오프 지연 시간:	44 ns
표준 턴-온 지연 시간:	15 ns

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문서 필터:

데이터시트

SH8KE7TB1 데이터시트

Specification Sheets

Datasheet - Chinese (English language)

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

SH8K 이중 N채널+N채널 전력 MOSFET

ROHM Semiconductor SH8K 이중 N채널+N채널 전력 MOSFET은 2개의 40V 또는 60V MOSFET이 특징이며 8개의 단자가 있는 소형 표면 실장 SOP8 패키지로 제공됩니다. SH8K 시리즈는 낮은 온 저항과 8.4mΩ, 12.4mΩ 또는 19.4mΩ의 최대 R_{DS (on)} 를 제공합니다. 다른 특징으로는 2W 전력 손실 및 ±8.5A, ±10.5 또는 ±13.5A 드레인 전류 ID를 들 수 있습니다. 이 RoHS 준수 MOSFET은 할로겐이 없고 무연 도금을 사용합니다. ROHM Semiconductor SH8K 이중 N채널+N채널 전력 MOSFET은 스위칭 애플리케이션에 이상적입니다.

Electronic Vehicle (EV) Solutions

ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.