SBR1045SD1-T

Name: Diodes Incorporated SBR1045SD1-T
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 621-SBR1045SD1-T
Price: 1080 KRW
Availability: InStock

이미지는 참조용으로만 사용하십시오
제품 사양을 참조하세요

Mouser 번호:

621-SBR1045SD1-T

제조업체 번호:

SBR1045SD1-T

제조업체:

Diodes Incorporated

설명:

쇼트키 다이오드 및 정류기 10A SBR 45V VRRM 32V Vr 10A 180 IFSM

데이터시트:

SBR1045SD1-T 데이터시트 (PDF)

ECAD 모델:

무료 라이브러리 로더를 다운로드하여 이 파일을 ECAD 도구용으로 변환하십시오. ECAD 모델에 대해 자세히 알아보기

추가 정보

Diodes Incorporated SBR1045SD1-T에 대해 자세히 알아보십시오.

재고 상태: 3,206

재고:: 3,206 즉시 배송 가능

예기치 않은 오류가 발생했습니다. 나중에 다시 시도하십시오.
공장 리드 타임:: 12 주 표시된 것보다 많은 수량에 대한 추정 공장 생산 시간입니다.

수량 입력:

최소: 1 배수: 1

단가:

₩-

합계:

₩-

예상 관세:

가격 (KRW)

수량	단가	합계
	₩1,080.4	₩1,080
	₩793.3	₩7,933
	₩642.3	₩64,230
	₩497.3	₩248,650
전체 릴(1200의 배수로 주문)
	₩370	₩444,000

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	Diodes Incorporated
제품 카테고리:	쇼트키 다이오드 및 정류기
RoHS:
REACH - SVHC:
제품:	Schottky Rectifiers
장착 스타일:	Through Hole
패키지/케이스:	DO-201AD-2
구성:	Single
기술:	Si
If - 순방향 전류:	10 A
Vrrm - 반복 역 전압:	45 V
Vf - 순방향 전압:	500 mV
If - 순방향 서지 전류:	180 A
Ir - 역 전류:	50 uA
최저 작동온도:	- 65 C
최고 작동온도:	+ 150 C
시리즈:	SBR1045
포장:	Reel
포장:	Cut Tape
브랜드:	Diodes Incorporated
COA(최종 조립 국가):	Not Available
COD(확산 공정 국가):	Not Available
COO(원산지):	CN
제품 유형:	Schottky Diodes & Rectifiers
팩토리 팩 수량:	1200
하위 범주:	Diodes & Rectifiers
Vr - 역 전압:	32 V
단위 중량:	1.200 g

제품을 찾음:

유사 제품을 표시하려면 확인란을 하나 이상 선택하십시오.

이 카테고리에 유사 제품을 표시하려면 확인란을 하나 이상 선택하십시오.

속성 선택됨: 0

문서 필터:

데이터시트

SBR1045SD1-T 데이터시트 (PDF)

PCN

Environmental Compliance (PDF)

KRHTS:: 8541109000
CNHTS:: 8541100000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
JPHTS:: 854110090
TARIC:: 8541100000
MXHTS:: 8541100101
ECCN:: EAR99

자동차 슈퍼 배리어 정류기

Diodes Incorporated 자동차 슈퍼 배리어 정류기(SBR)는 탁월한 애벌랜치 성능을 제공하는 특허받은 슈퍼 배리어 기술로 설계되었습니다. 이런 SBR 정류기는 낮은 순방향 전압 강하를 제공하고 자동차 애플리케이션에 이상적입니다. 자동차용 SBR 다이오드는 무연 마감 소재를 사용하는 한편, 높은 신뢰성을 제공하는 AEC-Q101 표준 인증을 받았습니다. 이런 SBR 정류기는 1~30A 순방향 전류 범위와 500mV~0.7V 순방향 전압 범위에서 사용할 수 있습니다.

SBR® Super Barrier Rectifiers

Diodes Inc SBR^® Super Barrier Rectifiers use a MOS manufacturing process to create a superior two-terminal device with a lower forward voltage than comparable Schottky diodes while possessing the thermal stability and high reliability characteristics of PN epitaxial diodes. SBR Diodes are designed for high power, low loss and fast switching applications. The presence of a MOS channel within its structure forms a low potential barrier for the majority carriers. That means SBR forward bias operation at low voltage is similar to a Schottky diode. The leakage current is lower than Schottky Diode in reverse bias due to the overlap of the P-N depletion layers and the absence of potential barrier reduction due to the image charge.