SBC846BPDW1T3G

Name: onsemi SBC846BPDW1T3G
Brand: onsemi
SKU: 863-SBC846BPDW1T3G
Price: 511 KRW
Availability: InStock

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Mouser 번호:

863-SBC846BPDW1T3G

제조업체 번호:

SBC846BPDW1T3G

제조업체:

onsemi

설명:

양극성 트랜지스터 - BJT NPN PNP Bipolar Transistor

라이프사이클:

신제품:

이 제조업체의 새로운 제품입니다.

데이터시트:

SBC846BPDW1T3G 데이터시트

ECAD 모델:

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최소: 1 배수: 1

단가:

₩-

합계:

₩-

예상 관세:

가격 (KRW)

수량	단가	합계
	₩511	₩511
	₩346	₩3,460
	₩219	₩21,900
	₩135.8	₩67,900
	₩100.7	₩100,700
	₩89.1	₩222,750
	₩77.4	₩387,000
전체 릴(10000의 배수로 주문)
	₩65.7	₩657,000
	₩59.9	₩1,198,000

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	onsemi
제품 카테고리:	양극성 트랜지스터 - BJT
RoHS:
기술:	Si
장착 스타일:	SMD/SMT
패키지/케이스:	SOT-363-6
트랜지스터 극성:	NPN, PNP
구성:	Dual
최대 DC 콜렉터 전류:	100 mA
콜렉터- 최대 이미터 전압 VCEO:	65 V
콜렉터-베이스 전압 VCBO:	80 V
이미터-베이스 전압 VEBO:	6 V
Pd - 전력 발산:	380 mW
게인 대역폭 제품 fT:	100 MHz
최저 작동온도:	- 55 C
최고 작동온도:	+ 150 C
시리즈:	BC846BPDW1
포장:	Reel
포장:	Cut Tape
브랜드:	onsemi
연속 콜렉터 전류:	100 mA, - 100 mA
DC 컬렉터/베이스 게인 hfe Min:	200
최대 DC 전류 이득 hFE :	800
제품 유형:	BJTs - Bipolar Transistors
팩토리 팩 수량:	10000
하위 범주:	Transistors

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속성 선택됨: 0

문서 필터:

데이터시트

SBC846BPDW1T3G 데이터시트

Material Composition Disclosure

KRHTS:: 8541219000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210075
JPHTS:: 854121000
TARIC:: 8541210000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

BC846BPDW1 양극성 트랜지스터

onsemi BC846BPDW1 바이폴라 트랜지스터는 저전력 표면 실장 애플리케이션용으로 설계된 이중 범용 트랜지스터입니다. 이 NPN/PNP 트랜지스터는 SOT-363/SC-88 패키지로 제공됩니다. BC846BPDW1 바이폴라 트랜지스터는 AEC-Q101 인증을 받았으며, PPAP가 가능하며 무연 패키지로 제공됩니다. 이 NPN/PNP 트랜지스터는 무할로겐/무BFR이며 RoHS 규격을 준수합니다. 바이폴라 트랜지스터는 저전력 표면 실장 애플리케이션에 이상적입니다.