RS3G160ATTB1

Name: ROHM Semiconductor RS3G160ATTB1
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RS3G160ATTB1
Price: 4613 KRW
Availability: InStock

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Mouser 번호:

755-RS3G160ATTB1

제조업체 번호:

RS3G160ATTB1

제조업체:

ROHM Semiconductor

설명:

MOSFET Transistor, MOSFET Pch, -40V(Vdss), -16.0A(Id), (4.5V, 6.0V Drive)

데이터시트:

RS3G160ATTB1 데이터시트

ECAD 모델:

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₩-

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₩-

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가격 (KRW)

수량	단가	합계
	₩4,613.6	₩4,614
	₩3,007.6	₩30,076
	₩2,117	₩211,700
	₩1,795.8	₩897,900
	₩1,679	₩1,679,000
전체 릴(2500의 배수로 주문)
	₩1,518.4	₩3,796,000
	₩1,503.8	₩7,519,000
	₩1,460	₩14,600,000

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제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	ROHM Semiconductor
제품 카테고리:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
기술:	Si
장착 스타일:	SMD/SMT
패키지/케이스:	SOP-8
트랜지스터 극성:	P-Channel
채널 수:	1 Channel
Vds - 드레인 소스 항복 전압:	40 V
Id - 연속 드레인 전류:	16 A
Rds On - 드레인 소스 저항:	6.2 mOhms
Vgs - 게이트 소스 전압:	- 20 V, 20 V
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압:	1 V
Qg - 게이트 전하:	120 nC
최저 작동온도:	- 55 C
최고 작동온도:	+ 150 C
Pd - 전력 발산:	2 W
채널 모드:	Enhancement
포장:	Reel
포장:	Cut Tape
브랜드:	ROHM Semiconductor
구성:	Single
하강 시간:	210 ns
제품 유형:	MOSFETs
상승 시간:	65 ns
팩토리 팩 수량:	2500
하위 범주:	Transistors
트랜지스터 타입:	1 P - Channel
표준 턴-오프 지연 시간:	260 ns
표준 턴-온 지연 시간:	24 ns
부품번호 별칭:	RS3G160AT
단위 중량:	83 mg

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속성 선택됨: 0

문서 필터:

데이터시트

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Application Notes

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Specification Sheets

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

RS3 Pch 전력 MOSFET

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Electronic Vehicle (EV) Solutions

ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.