RQ3L120BJFRATCB

Name: ROHM Semiconductor RQ3L120BJFRATCB
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RQ3L120BJFRATCB
Price: 2321 KRW
Availability: InStock

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Mouser 번호:

755-RQ3L120BJFRATCB

제조업체 번호:

RQ3L120BJFRATCB

제조업체:

ROHM Semiconductor

설명:

MOSFET Pch -60V -12A, HSMT8AG, Power MOSFET for Automotive

라이프사이클:

신제품:

이 제조업체의 새로운 제품입니다.

데이터시트:

RQ3L120BJFRATCB 데이터시트

ECAD 모델:

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재고 상태: 2,795

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₩-

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가격 (KRW)

수량	단가	합계
	₩2,321.4	₩2,321
	₩1,474.6	₩14,746
	₩978.2	₩97,820
	₩801.5	₩400,750
	₩711	₩711,000
전체 릴(3000의 배수로 주문)
	₩607.4	₩1,822,200
	₩600.1	₩3,600,600
	₩594.2	₩5,347,800
	₩592.8	₩14,227,200

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제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	ROHM Semiconductor
제품 카테고리:	MOSFET
RoHS:
기술:	Si
장착 스타일:	SMD/SMT
패키지/케이스:	HSMT-8
트랜지스터 극성:	P-Channel
채널 수:	1 Channel
Vds - 드레인 소스 항복 전압:	60 V
Id - 연속 드레인 전류:	12 A
Rds On - 드레인 소스 저항:	106 mOhms
Vgs - 게이트 소스 전압:	- 20 V, 5 V
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압:	2.5 V
Qg - 게이트 전하:	15.7 nC
최저 작동온도:	- 55 C
최고 작동온도:	+ 150 C
Pd - 전력 발산:	40 W
채널 모드:	Enhancement
포장:	Reel
포장:	Cut Tape
브랜드:	ROHM Semiconductor
구성:	Single
하강 시간:	18 ns
순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소:	7.8 S
제품 유형:	MOSFETs
상승 시간:	13 ns
팩토리 팩 수량:	3000
하위 범주:	Transistors
트랜지스터 타입:	1 N-Channel
표준 턴-오프 지연 시간:	52 ns
표준 턴-온 지연 시간:	8.7 ns

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속성 선택됨: 0

문서 필터:

데이터시트

RQ3L120BJFRATCB 데이터시트

Specification Sheets

Datasheet - Chinese (English language)

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USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

RQ3xFRATCB 전력 MOSFET

ROHM Semiconductor RQ3xFRATCB 전력 MOSFET은 AEC-Q101-인증, 자동차 등급 MOSFET입니다. 이 MOSFET은 -40V~100V 드레인-소스 전압 범위, 8 단자, 최대 69W 전력 손실, ±12A ~ ±27A 연속 드레인 전류가 특징입니다. RQ3xFRATCB 전력 MOSFET은 N-채널 및 P-채널로 제공됩니다. 이 전력 MOSFET은 소형 3.3mm x 3.3mm HSMT8AG 패키지로 제공됩니다. RQ3xFRATCB 전력 MOSFET은 ADAS(첨단 운전자 보조 시스템), 인포테인먼트, 조명 및 차체에 이상적입니다.

Electronic Vehicle (EV) Solutions

ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.