RQ3G270BJFRATCB

ROHM Semiconductor
755-RQ3G270BJFRATCB
RQ3G270BJFRATCB

제조업체:

설명:
MOSFET Pch -40V -27A, HSMT8AG, Power MOSFET for Automotive

라이프사이클:
신제품:
이 제조업체의 새로운 제품입니다.
데이터시트:
ECAD 모델:
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추가 정보
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재고 상태: 3,830

재고:
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공장 리드 타임:
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최소: 1   배수: 1
단가:
₩-
합계:
₩-
예상 관세:

가격 (KRW)

수량 단가
합계
₩2,886 ₩2,886
₩1,850 ₩18,500
₩1,275.8 ₩127,580
₩1,080.4 ₩540,200
₩919.1 ₩919,100
전체 릴(3000의 배수로 주문)
₩780 ₩2,340,000
₩734.1 ₩17,618,400

제품 속성 속성 값 속성 선택
ROHM Semiconductor
제품 카테고리: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
HSMT-8
P-Channel
1 Channel
40 V
27 A
22 mOhms
- 20 V, 5 V
2.5 V
32 nC
- 55 C
+ 150 C
69 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
브랜드: ROHM Semiconductor
구성: Single
하강 시간: 37 ns
순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소: 11 S
제품 유형: MOSFETs
상승 시간: 15 ns
팩토리 팩 수량: 3000
하위 범주: Transistors
트랜지스터 타입: 1 P-Channel
표준 턴-오프 지연 시간: 126 ns
표준 턴-온 지연 시간: 10 ns
제품을 찾음:
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속성 선택됨: 0

데이터시트

Specification Sheets

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USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

RQ3xFRATCB 전력 MOSFET

ROHM Semiconductor  RQ3xFRATCB 전력 MOSFET은 AEC-Q101-인증, 자동차 등급 MOSFET입니다. 이 MOSFET은 -40V~100V 드레인-소스 전압 범위, 8 단자, 최대 69W 전력 손실, ±12A ~ ±27A 연속 드레인 전류가 특징입니다. RQ3xFRATCB 전력 MOSFET은 N-채널 및 P-채널로 제공됩니다. 이 전력 MOSFET은 소형 3.3mm x 3.3mm HSMT8AG 패키지로 제공됩니다. RQ3xFRATCB 전력 MOSFET은 ADAS(첨단 운전자 보조 시스템), 인포테인먼트, 조명 및 차체에 이상적입니다.

Electronic Vehicle (EV) Solutions

ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.

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