RJ1G10BBGTL1

Name: ROHM Semiconductor RJ1G10BBGTL1
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RJ1G10BBGTL1
Price: 9516 KRW
Availability: InStock

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Mouser 번호:

755-RJ1G10BBGTL1

제조업체 번호:

RJ1G10BBGTL1

제조업체:

ROHM Semiconductor

설명:

MOSFET Nch 40V 280A, TO-263AB, Power MOSFET

라이프사이클:

신제품:

이 제조업체의 새로운 제품입니다.

데이터시트:

RJ1G10BBGTL1 데이터시트

ECAD 모델:

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수량	단가	합계
	₩9,516.4	₩9,516
	₩7,281.6	₩72,816
	₩5,890.4	₩589,040
	₩5,239.2	₩2,619,600
전체 릴(800의 배수로 주문)
	₩4,484.4	₩3,587,520

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제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	ROHM Semiconductor
제품 카테고리:	MOSFET
기술:	Si
장착 스타일:	SMD/SMT
패키지/케이스:	TO-263AB-3
트랜지스터 극성:	N-Channel
채널 수:	1 Channel
Vds - 드레인 소스 항복 전압:	40 V
Id - 연속 드레인 전류:	280 A
Rds On - 드레인 소스 저항:	1.43 mOhms
Vgs - 게이트 소스 전압:	20 V
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압:	2.5 V
Qg - 게이트 전하:	210 nC
최저 작동온도:	- 55 C
최고 작동온도:	+ 150 C
Pd - 전력 발산:	192 W
채널 모드:	Enhancement
포장:	Reel
포장:	Cut Tape
브랜드:	ROHM Semiconductor
구성:	Single
하강 시간:	340 ns
순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소:	70 S
제품 유형:	MOSFETs
상승 시간:	64 ns
팩토리 팩 수량:	800
하위 범주:	Transistors
트랜지스터 타입:	1 N-Channel
표준 턴-오프 지연 시간:	280ns
표준 턴-온 지연 시간:	49 ns

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Electronic Vehicle (EV) Solutions

ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.

RJ1x10BBG 전력 MOSFET

ROHM Semiconductor RJ1x10BBG은 낮은 온 상태 저항과 고출력 패키지가 특징인 N-채널 전력 MOSFET입니다. RJ1G10BBG 및 RJ1L10BBG 전력 MOSFET의 드레인-소스 전압은 40V 및 60V이며 연속 드레인 전류는 각각 ±280A와 ±240A, 전력 손실은192W입니다. RJ1x10BBG 전력 MOSFET은 RoHS를 준수합니다. 이 전력 MOSFET은 무연 도금, 무할로겐, 그리고 100% Rg 및 UIS 테스트를 거쳤습니다. RJ1x10BBG 전력 MOSFET은 -55°C ~ +150°C 온도 범위에서 작동합니다. 일반 애플리케이션으로는 스위칭, 모터 드라이브, DC/DC 컨버터 등이 있습니다.