RH7G04BBJFRATCB

Name: ROHM Semiconductor RH7G04BBJFRATCB
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RH7G04BBJFRATCB
Price: 3300 KRW
Availability: InStock

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Mouser 번호:

755-RH7G04BBJFRATCB

제조업체 번호:

RH7G04BBJFRATCB

제조업체:

ROHM Semiconductor

설명:

MOSFET DFN3333 P-CH 40V 40A

라이프사이클:

신제품:

이 제조업체의 새로운 제품입니다.

데이터시트:

RH7G04BBJFRATCB 데이터시트

ECAD 모델:

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₩-

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가격 (KRW)

수량	단가	합계
	₩3,300.4	₩3,300
	₩2,116.4	₩21,164
	₩1,435.6	₩143,560
	₩1,145.5	₩572,750
	₩1,083.4	₩1,083,400
전체 릴(3000의 배수로 주문)
	₩1,030.1	₩3,090,300

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제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	ROHM Semiconductor
제품 카테고리:	MOSFET
기술:	Si
장착 스타일:	SMD/SMT
패키지/케이스:	DFN-8
트랜지스터 극성:	P-Channel
채널 수:	1 Channel
Vds - 드레인 소스 항복 전압:	40 V
Id - 연속 드레인 전류:	40 A
Rds On - 드레인 소스 저항:	11.9 mOhms
Vgs - 게이트 소스 전압:	- 20 V, 5 V
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압:	2.5 V
Qg - 게이트 전하:	25 nC
최저 작동온도:	- 55 C
최고 작동온도:	+ 175 C
Pd - 전력 발산:	75 W
채널 모드:	Enhancement
자격:	AEC-Q101
포장:	Reel
포장:	Cut Tape
브랜드:	ROHM Semiconductor
구성:	Single
COA(최종 조립 국가):	Not Available
COD(확산 공정 국가):	Not Available
COO(원산지):	JP
하강 시간:	97 ns
순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소:	14 S
제품 유형:	MOSFETs
상승 시간:	24 ns
팩토리 팩 수량:	3000
하위 범주:	Transistors
트랜지스터 타입:	1 P-Channel
표준 턴-오프 지연 시간:	175 ns
표준 턴-온 지연 시간:	14 ns

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데이터시트

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USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

오토모티브40 A&80 A파워 MOSFET

로옴 세미컨덕터 오토모티브40 A및80 A파워 MOSFET은 N채널 및 P채널 디바이스입니다. 이 AEC-Q101 인증 MOSFET은 낮은 온저항, ±80 A / ±160 A 펄스 드레인 전류, 최대 142 W 전력 손실을 특징으로 합니다. 40 A 및 80 A 파워 MOSFET은 -55 °C ~ +175 °C의 넓은 동작 온도 범위를 지원하며, 100 % 애벌런치 테스트를 완료했습니다. 이 파워 MOSFET은 ADAS, 자동차 전장, 조명 애플리케이션에 최적화되어 있습니다.

Electronic Vehicle (EV) Solutions

ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.