RGSX5TS65EHRC11

ROHM Semiconductor
755-RGSX5TS65EHRC11
RGSX5TS65EHRC11

제조업체:

설명:
IGBT 8s Short-Circuit Tolerance, 650V 75A, FRD Built-in, Automotive Field Stop Trench IGBT

라이프사이클:
NRND:
새로운 디자인에 권장되지 않습니다.
ECAD 모델:
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재고 상태: 400

재고:
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최소: 1   배수: 1
단가:
₩-
합계:
₩-
예상 관세:

가격 (KRW)

수량 단가
합계
₩17,213.4 ₩17,213
₩10,512 ₩105,120
₩8,979 ₩897,900
450 견적

제품 속성 속성 값 속성 선택
ROHM Semiconductor
제품 카테고리: IGBT
RoHS:  
Si
TO-247N-3
Through Hole
Single
650 V
2.15 V
30 V
114 A
404 W
- 40 C
+ 175 C
Tube
브랜드: ROHM Semiconductor
게이트-이미터 누설 전류: 200 nA
제품 유형: IGBT Transistors
팩토리 팩 수량: 450
하위 범주: IGBTs
부품번호 별칭: RGSX5TS65EHR
제품을 찾음:
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속성 선택됨: 0

                        
ROHM Semiconductors AEC-Q101 qualified products are not
intended for volume automotive production without ROHM
Semiconductors prior approval.

Please contact ROHM Semiconductor for Production Part Approval
Process (PPAP) requirements or contact a Mouser Technical Sales
Representative for further assistance.

5-0617-50

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CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

RGX5TS65 650V 75A 필드 스톱 트렌치 IGBT

ROHM Semiconductor RGSX5TS65 650V 75A 필드 스톱 트렌치 IGBT는 컬렉터-이미터 포화 전압이 낮습니다. RGSX5TS65는 단락 내성 시간이 8μS입니다. AEC-Q101 인증을 받았으며 무연 도금이 되어있습니다.