RGS30TSX2DGC11

ROHM Semiconductor
755-RGS30TSX2DGC11
RGS30TSX2DGC11

제조업체:

설명:
IGBT 10 s Short-Circuit Tolerance, 1200V 15A, FRD Built-in, Field Stop Trench IGBT

데이터시트:
ECAD 모델:
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추가 정보
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재고 상태: 497

재고:
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공장 리드 타임:
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최소: 1   배수: 1
단가:
₩-
합계:
₩-
예상 관세:

가격 (KRW)

수량 단가
합계
₩12,658.2 ₩12,658
₩8,657.8 ₩86,578
₩5,650.2 ₩565,020
₩5,577.2 ₩2,509,740
10,350 견적

제품 속성 속성 값 속성 선택
ROHM Semiconductor
제품 카테고리: IGBT
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
TO-247N-3
Through Hole
Single
1.2 kV
2.1 V
30 V
30 A
267 W
- 40 C
+ 175 C
Tube
브랜드: ROHM Semiconductor
게이트-이미터 누설 전류: 500 nA
제품 유형: IGBT Transistors
팩토리 팩 수량: 450
하위 범주: IGBTs
부품번호 별칭: RGS30TSX2D
제품을 찾음:
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속성 선택됨: 0

데이터시트

PCN

Specification Sheets

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

Rgx0tsx2x 필드 스톱 트렌치 IGBT

ROHM Semiconductor RGSx0TSX2x 필드 스톱 트렌치 IGBT는 10µs SCSOA(단락 회로 안전 작동 영역) 보장 절연 게이트 양극성 트랜지스터로, 일반 인버터, UPS, PV 인버터 및 전력 조절기 애플리케이션에 적합합니다. RGSx0TSX2x IGBT는 낮은 전도 손실을 제공하여 크기를 줄이고 효율성을 향상시킵니다. 이 장치는 고유의 트렌치 게이트 및 박막 웨이퍼 기술을 사용합니다. 이러한 기술은 낮은 컬렉터-이미터 포화 전압(VCE(sat))을 달성하고 스위칭 손실을 줄이는데 도움이 됩니다. 이러한 IGBT는 다양한 고전압 및 고전류 애플리케이션에서 에너지 절감 효과를 높입니다.

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