RF3L05150CB4

Name: STMicroelectronics RF3L05150CB4
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-RF3L05150CB4
Price: 285107 KRW
Availability: OutOfStock

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Mouser 번호:

511-RF3L05150CB4

제조업체 번호:

RF3L05150CB4

제조업체:

STMicroelectronics

설명:

RF MOSFET 트랜지스터 150 W, 28/32 V, HF to 1 GHz RF power LDMOS transistor

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데이터시트:

RF3L05150CB4 데이터시트 (PDF)

ECAD 모델:

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	STMicroelectronics
제품 카테고리:	RF MOSFET 트랜지스터
RoHS:
트랜지스터 극성:	N-Channel
기술:	Si
Id - 연속 드레인 전류:	2.5 A
Vds - 드레인 소스 항복 전압:	28 V
Rds On - 드레인 소스 저항:	1 Ohms
작동 주파수:	945 MHz
이득:	16 dB
출력 전력:	150 W
최고 작동온도:	+ 200 C
장착 스타일:	Through Hole
패키지/케이스:	LBB-4
포장:	Reel
포장:	Cut Tape
브랜드:	STMicroelectronics
ACO(최종 조립 국가):	Not Available
COD(확산 공정 국가):	Not Available
COO(원산지):	CN
채널 수:	1 Channel
제품 유형:	RF MOSFET Transistors
팩토리 팩 수량:	100
하위 범주:	MOSFETs
타입:	RF Power MOSFET
단위 중량:	2.400 g

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문서 필터:

데이터시트

RF3L05150CB4 데이터시트 (PDF)

USHTS:: 8541290055
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

RF3L05150CB4 RF 전력 LDMOS 트랜지스터

STMicroelectronics RF3L05150CB4 RF 전력 LDMOS 트랜지스터는 광대역 통신 및 ISM 애플리케이션을 위해 설계된 150W, 28/32V LDMOS FET입니다. STM RF3L05150CB4 LDMOS 트랜지스터는 HF~1GHz의 주파수를 갖는 애플리케이션용으로 설계되었습니다. RF3L05150CB4는 모든 일반적인 변조 형식의 경우 클래스 AB, B 또는 C에 사용할 수 있습니다.

LET RF Power Transistors

STMicroelectronics LET RF Power Transistors are a common source N-Channel enhancement-mode lateral field-effect RF power transistor. These transistors are based on the new advanced STH5P LDMOS technology and are targeted for operation up to 2.0GHz. STMicroelectronics LET RF Power Transistors are specifically designed for 28V (cellular base stations) and 32/36V (avionics) applications. These devices have a significant improvement in terms of RF performance (+3dB gain, +15% efficiency), ruggedness, and reliability makes this new product line ideal in applications such as private mobile radio, government communications, avionics systems, and L-band satellite uplink equipment.