RD3N03BATTL1

Name: ROHM Semiconductor RD3N03BATTL1
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RD3N03BATTL1
Price: 3315 KRW
Availability: InStock

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Mouser 번호:

755-RD3N03BATTL1

제조업체 번호:

RD3N03BATTL1

제조업체:

ROHM Semiconductor

설명:

MOSFET TO252 P-CH 80V 30A

라이프사이클:

신제품:

이 제조업체의 새로운 제품입니다.

데이터시트:

RD3N03BATTL1 데이터시트

ECAD 모델:

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가격 (KRW)

수량	단가	합계
	₩3,315.2	₩3,315
	₩2,131.2	₩21,312
	₩1,447.4	₩144,740
	₩1,155.9	₩577,950
	₩1,093.7	₩1,093,700
전체 릴(2500의 배수로 주문)
	₩1,040.4	₩2,601,000

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제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	ROHM Semiconductor
제품 카테고리:	MOSFET
기술:	Si
장착 스타일:	SMD/SMT
패키지/케이스:	TO-252-3
트랜지스터 극성:	P-Channel
채널 수:	1 Channel
Vds - 드레인 소스 항복 전압:	80 V
Id - 연속 드레인 전류:	30 A
Rds On - 드레인 소스 저항:	64 mOhms
Vgs - 게이트 소스 전압:	20 V
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압:	4 V
Qg - 게이트 전하:	50 nC
최저 작동온도:	- 55 C
최고 작동온도:	+ 150 C
Pd - 전력 발산:	54 W
채널 모드:	Enhancement
포장:	Reel
포장:	Cut Tape
브랜드:	ROHM Semiconductor
구성:	Single
COA(최종 조립 국가):	Not Available
COD(확산 공정 국가):	Not Available
COO(원산지):	CN
하강 시간:	69 ns
순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소:	13.4 S
제품 유형:	MOSFETs
상승 시간:	15 ns
팩토리 팩 수량:	2500
하위 범주:	Transistors
트랜지스터 타입:	1 P-Channel
표준 턴-오프 지연 시간:	225 ns
표준 턴-온 지연 시간:	15 ns

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

소신호 듀얼 채널 MOSFET

ROHM Semiconductor 소형 신호 듀얼 채널 MOSFET는 낮은 온저항과 빠른 스위칭을 특징으로 합니다. 이 MOSFET은 RoHS를 준수하며 무연 도금이 포함되어 있습니다. 듀얼 채널 MOSFET은 -55°C ~ 150°C 온도 범위에서 작동합니다. 이러한 MOSFET은 모터 드라이브 및 스위칭 애플리케이션에 사용됩니다.