RD3L07BBGTL1

ROHM Semiconductor
755-RD3L07BBGTL1
RD3L07BBGTL1

제조업체:

설명:
MOSFET Transistor, MOSFET Nch, 60V(Vdss), 70A(Id), (4.5V Drive)

ECAD 모델:
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가격 (KRW)

수량 단가
합계
컷 테이프/MouseReel™
₩5,357.6 ₩5,358
₩3,507.6 ₩35,076
₩2,456.8 ₩245,680
₩2,012.8 ₩1,006,400
전체 릴(2500의 배수로 주문)
₩2,012.8 ₩5,032,000
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제품 속성 속성 값 속성 선택
ROHM Semiconductor
제품 카테고리: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
TO-252-3
N-Channel
1 Channel
60 V
115 A
3.9 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
47 nC
- 55 C
+ 150 C
102 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
브랜드: ROHM Semiconductor
구성: Single
COA(최종 조립 국가): Not Available
COD(확산 공정 국가): Not Available
COO(원산지): CN
하강 시간: 27 ns
순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소: 72 S
제품 유형: MOSFETs
상승 시간: 12 ns
팩토리 팩 수량: 2500
하위 범주: Transistors
표준 턴-오프 지연 시간: 72 ns
표준 턴-온 지연 시간: 21 ns
부품번호 별칭: RD3L07BBG
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속성 선택됨: 0

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CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

RSDTxxNSFH 자동차용 TVS

ROHM Semiconductor RSDTxxNSFH TVS(과도 전압 억제기)는 3600W(tp=10/1000μs) 미만의 서지로부터 민감한 전자 장비를 보호합니다. 이 전압 억제기는 단방향이며 자동차 애플리케이션에 사용하는 동안 매우 안정적입니다. RSDTxxNSFH 억제기는 파워 몰드형이며 고전류 과부하 기능을 갖추고 있습니다. 이 전압 억제기는 실리콘 에피택셜 평면 구조로 제공되며 5W 전력 손실(PD)을 제공합니다. ROHM Semiconductor RSDTxxNSFH 억제기는 서지 보호에 이상적입니다.

Electronic Vehicle (EV) Solutions

ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.