R8019KNZ4C13

ROHM Semiconductor
755-R8019KNZ4C13
R8019KNZ4C13

제조업체:

설명:
MOSFET TO247 800V N CH 19A

라이프사이클:
신제품:
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단가:
₩-
합계:
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가격 (KRW)

수량 단가
합계
₩14,829.6 ₩14,830
₩10,360 ₩103,600
₩7,947.6 ₩794,760

제품 속성 속성 값 속성 선택
ROHM Semiconductor
제품 카테고리: MOSFET
Si
Through Hole
TO-247G-3
N-Channel
1 Channel
800 V
19 A
265 mOhms
30 V
4.5 V
65 nC
- 55 C
+ 150 C
208 W
Enhancement
Tube
브랜드: ROHM Semiconductor
구성: Single
COA(최종 조립 국가): Not Available
COD(확산 공정 국가): Not Available
COO(원산지): CN
하강 시간: 60 ns
순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소: 2.5 S
제품 유형: MOSFETs
상승 시간: 50 ns
팩토리 팩 수량: 600
하위 범주: Transistors
트랜지스터 타입: 1 N-Channel
표준 턴-오프 지연 시간: 110 ns
표준 턴-온 지연 시간: 35 ns
제품을 찾음:
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속성 선택됨: 0

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CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

소신호 듀얼 채널 MOSFET

ROHM Semiconductor 소형 신호 듀얼 채널 MOSFET는 낮은 온저항과 빠른 스위칭을 특징으로 합니다.   이 MOSFET은 RoHS를 준수하며 무연 도금이 포함되어 있습니다. 듀얼 채널 MOSFET은 -55°C ~ 150°C 온도 범위에서 작동합니다. 이러한 MOSFET은 모터 드라이브 및 스위칭 애플리케이션에 사용됩니다.