QH8JB5TCR

Name: ROHM Semiconductor QH8JB5TCR
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-QH8JB5TCR
Price: 2409 KRW
Availability: InStock

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Mouser 번호:

755-QH8JB5TCR

제조업체 번호:

QH8JB5TCR

제조업체:

ROHM Semiconductor

설명:

MOSFET -40V Dual Pch+Pch Small Signal MOSFET

데이터시트:

QH8JB5TCR 데이터시트

ECAD 모델:

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수량	단가	합계
	₩2,409	₩2,409
	₩1,458.5	₩14,585
	₩1,108.1	₩110,810
	₩889.1	₩444,550
	₩813.2	₩813,200
전체 릴(3000의 배수로 주문)
	₩715.4	₩2,146,200
	₩667.2	₩4,003,200
	₩664.3	₩5,978,700

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제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	ROHM Semiconductor
제품 카테고리:	MOSFET
RoHS:
기술:	Si
장착 스타일:	SMD/SMT
패키지/케이스:	TSMT-8
트랜지스터 극성:	P-Channel
채널 수:	2 Channel
Vds - 드레인 소스 항복 전압:	40 V
Id - 연속 드레인 전류:	5 A
Rds On - 드레인 소스 저항:	41 mOhms
Vgs - 게이트 소스 전압:	- 10 V, 10 V
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압:	1 V
Qg - 게이트 전하:	17.2 nC
최저 작동온도:	- 55 C
최고 작동온도:	+ 150 C
Pd - 전력 발산:	1.5 W
채널 모드:	Enhancement
포장:	Reel
포장:	Cut Tape
브랜드:	ROHM Semiconductor
구성:	Dual
하강 시간:	43 ns
제품 유형:	MOSFETs
상승 시간:	18 ns
팩토리 팩 수량:	3000
하위 범주:	Transistors
트랜지스터 타입:	2 - P Channel
표준 턴-오프 지연 시간:	82 ns
표준 턴-온 지연 시간:	9.2 ns
부품번호 별칭:	QH8JB5
단위 중량:	10 mg

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

QH8J Pch 전력 MOSFET

ROHM Semiconductor QH8J Pch 전력 MOSFET은 낮은 온 저항이 특징이며 고전력 소형 몰드 패키지(TSMT8)로 제공됩니다. ROHM은 소신호 제품에서 800V 고전압 제품까지 폭넓은 전압 라인업을 제공합니다. 전원 공급 장치 및 모터 구동 회로와 같은 다양한 용도에 사용할 수 있습니다.

Electronic Vehicle (EV) Solutions

ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.