PMDXB600UNEZ

Name: Nexperia PMDXB600UNEZ
Brand: Nexperia
SKU: 771-PMDXB600UNEZ
Price: 666 KRW
Availability: OutOfStock

이미지는 참조용으로만 사용하십시오
제품 사양을 참조하세요

Mouser 번호:

771-PMDXB600UNEZ

제조업체 번호:

PMDXB600UNEZ

제조업체:

Nexperia

설명:

MOSFET PMDXB600UNE/SOT1216/DFN1010B-6

데이터시트:

PMDXB600UNEZ 데이터시트 (PDF)

ECAD 모델:

무료 라이브러리 로더를 다운로드하여 이 파일을 ECAD 도구용으로 변환하십시오. ECAD 모델에 대해 자세히 알아보기

추가 정보

Nexperia PMDXB600UNEZ에 대해 자세히 알아보십시오.

구매 가능 정보

재고:: 0

이 제품을 이월 주문으로 여전히 구매하실 수 있습니다.

예기치 않은 오류가 발생했습니다. 나중에 다시 시도하십시오.
주문 중:: 24,993

예상 2027-02-08
공장 리드 타임:: 8

주 표시된 것보다 많은 수량에 대한 추정 공장 생산 시간입니다.

이 제품은 리드 타임이 깁니다.

수량 입력:

최소: 1 배수: 1

단가:

₩-

합계:

₩-

예상 관세:

포장:

전체 릴(5000의 배수로 주문)

컷 테이프

MouseReel™ (+₩8,000)

가격 (KRW)

수량	단가	합계
컷 테이프/MouseReel™ ^†
	₩666	₩666
	₩347.8	₩3,478
	₩232.4	₩23,240
	₩131.7	₩65,850
	₩103.6	₩103,600
	₩100.6	₩251,500
전체 릴(5000의 배수로 주문)
	₩85.8	₩429,000
	₩75.5	₩755,000
	₩69.6	₩1,740,000

† ₩8,000 MouseReel™ 수수료는 장바구니에 더해져 계산됩니다. 모든 MouseReel™ 주문은 취소 및 환불이 불가능합니다. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	Nexperia
제품 카테고리:	MOSFET
RoHS:
기술:	Si
장착 스타일:	SMD/SMT
패키지/케이스:	DFN-1010-6
트랜지스터 극성:	N-Channel
채널 수:	2 Channel
Vds - 드레인 소스 항복 전압:	20 V
Id - 연속 드레인 전류:	600 mA
Rds On - 드레인 소스 저항:	3 Ohms, 3 Ohms
Vgs - 게이트 소스 전압:	- 8 V, 8 V
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압:	450 mV
Qg - 게이트 전하:	400 pC
최저 작동온도:	- 55 C
최고 작동온도:	+ 150 C
Pd - 전력 발산:	380 mW
채널 모드:	Enhancement
포장:	Reel
포장:	Cut Tape
포장:	MouseReel
브랜드:	Nexperia
구성:	Dual
COA(최종 조립 국가):	Not Available
COD(확산 공정 국가):	Not Available
COO(원산지):	CN
하강 시간:	51 ns
순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소:	1 S
제품 유형:	MOSFETs
상승 시간:	9.2 ns
팩토리 팩 수량:	5000
하위 범주:	Transistors
트랜지스터 타입:	2 N-Channel
표준 턴-오프 지연 시간:	19 ns
표준 턴-온 지연 시간:	5.6 ns
부품번호 별칭:	934067655147
단위 중량:	1.200 mg

제품을 찾음:

유사 제품을 표시하려면 확인란을 하나 이상 선택하십시오.

이 카테고리에 유사 제품을 표시하려면 확인란을 하나 이상 선택하십시오.

속성 선택됨: 0

문서 필터:

KRHTS:: 8541219000
CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 8541210101
TARIC:: 8541210000
MXHTS:: 85412101
ECCN:: EAR99

PMDXBx 20V Trench MOSFETs

Nexperia PMDXBx 20V Trench MOSFETs consist of enhancement mode field-effect transistors (FET) in leadless, ultra-small DFN1010B-6 (SOT1216) Surface-Mounted Device (SMD) plastic packages. The devices employ Trench MOSFET technology, have an exposed drain pad for excellent thermal conduction, provide >1kV HBM ESD protection, and offer 470mΩ drain-source on-state resistance. The PMDXBx MOSFETs are available in dual N- and P-channel versions. The Nexperia PMDXBx 20V Trench MOSFETs are ideal for relay drivers, high-speed line drivers, low-side load switches, and switching circuits.