PMDXB550UNEZ

Name: Nexperia PMDXB550UNEZ
Brand: Nexperia
SKU: 771-PMDXB550UNEZ
Price: 784 KRW
Availability: OutOfStock

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Mouser 번호:

771-PMDXB550UNEZ

제조업체 번호:

PMDXB550UNEZ

제조업체:

Nexperia

설명:

MOSFET SOT1216 2NCH 30V .59A

데이터시트:

PMDXB550UNEZ 데이터시트 (PDF)

ECAD 모델:

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수량	단가	합계
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	₩784.4	₩784
	₩476.6	₩4,766
	₩304.9	₩30,490
	₩227.9	₩113,950
	₩185	₩185,000
	₩183.5	₩458,750
전체 릴(5000의 배수로 주문)
	₩159.8	₩799,000
	₩140.6	₩1,406,000
	₩139.1	₩3,477,500

† ₩8,000 MouseReel™ 수수료는 장바구니에 더해져 계산됩니다. 모든 MouseReel™ 주문은 취소 및 환불이 불가능합니다. ↩

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제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	Nexperia
제품 카테고리:	MOSFET
RoHS:
기술:	Si
장착 스타일:	SMD/SMT
패키지/케이스:	DFN-1010-6
트랜지스터 극성:	N-Channel
채널 수:	2 Channel
Vds - 드레인 소스 항복 전압:	30 V
Id - 연속 드레인 전류:	590 mA
Rds On - 드레인 소스 저항:	670 mOhms
Vgs - 게이트 소스 전압:	- 8 V, 8 V
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압:	450 mV
Qg - 게이트 전하:	1.05 nC
최저 작동온도:	- 55 C
최고 작동온도:	+ 150 C
Pd - 전력 발산:	4.03 W
채널 모드:	Enhancement
포장:	Reel
포장:	Cut Tape
포장:	MouseReel
브랜드:	Nexperia
구성:	Dual
COA(최종 조립 국가):	Not Available
COD(확산 공정 국가):	Not Available
COO(원산지):	MY
하강 시간:	3 ns
순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소:	600 mS
제품 유형:	MOSFETs
상승 시간:	7 ns
팩토리 팩 수량:	5000
하위 범주:	Transistors
트랜지스터 타입:	2 N-Channel
표준 턴-오프 지연 시간:	12 ns
표준 턴-온 지연 시간:	4 ns
부품번호 별칭:	934069326147
단위 중량:	1.290 mg

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문서 필터:

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ECCN:: EAR99

PMDXB550UNE 듀얼 N채널 MOSFET

Nexperia PMDXB550UNE 듀얼 N채널 MOSFET은 낮은 임계 전압을 제공하는 표면 장착 장치입니다. 이 30V 강화 모드 FET(전계 효과 트랜지스터)는 탁월한 열전도와 ESD 보흐를 위해 노출된 드레인 패드를 갖추고 있습니다. 일반적으로 계전기 드라이버, 고속 라인 드라이버, 로우 측 부하 스위치, 스위칭 회로 등에 사용됩니다. PMDXB550UNE MOSFET은 트렌치 MOSFET 기술을 사용하여 설계되었으며, 리드리스 초소형 DFN1010B-6(SOT1216) 플라스틱 패키지로 제공됩니다.

PMDXBx 20V Trench MOSFETs

Nexperia PMDXBx 20V Trench MOSFETs consist of enhancement mode field-effect transistors (FET) in leadless, ultra-small DFN1010B-6 (SOT1216) Surface-Mounted Device (SMD) plastic packages. The devices employ Trench MOSFET technology, have an exposed drain pad for excellent thermal conduction, provide >1kV HBM ESD protection, and offer 470mΩ drain-source on-state resistance. The PMDXBx MOSFETs are available in dual N- and P-channel versions. The Nexperia PMDXBx 20V Trench MOSFETs are ideal for relay drivers, high-speed line drivers, low-side load switches, and switching circuits.