NXH007F120M3F2PTHG

Name: onsemi NXH007F120M3F2PTHG
Brand: onsemi
SKU: 863-H007F120M3F2PTHG
Price: 269789 KRW
Availability: InStock

Mouser 번호:

863-H007F120M3F2PTHG

제조업체 번호:

NXH007F120M3F2PTHG

제조업체:

onsemi

설명:

MOSFET 모듈 7M 1200V 40A M3S SIC FULL BRIDGE MODULE

라이프사이클:

신제품:

이 제조업체의 새로운 제품입니다.

데이터시트:

NXH007F120M3F2PTHG 데이터시트

ECAD 모델:

무료 라이브러리 로더를 다운로드하여 이 파일을 ECAD 도구용으로 변환하십시오. ECAD 모델에 대해 자세히 알아보기

추가 정보

onsemi NXH007F120M3F2PTHG에 대해 자세히 알아보십시오.

재고 상태: 23

재고:: 23 즉시 배송 가능

예기치 않은 오류가 발생했습니다. 나중에 다시 시도하십시오.
공장 리드 타임:: 20 주 표시된 것보다 많은 수량에 대한 추정 공장 생산 시간입니다.

이 제품은 리드 타임이 깁니다.

수량 입력:

최소: 1 배수: 1

단가:

₩-

합계:

₩-

예상 관세:

본 제품의 배송비는 무료

가격 (KRW)

수량	단가	합계
	₩269,789.2	₩269,789
	₩247,559.6	₩2,475,596

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	onsemi
제품 카테고리:	MOSFET 모듈
RoHS:
기술:	SiC
장착 스타일:	Press Fit
패키지/케이스:	PIM-34
트랜지스터 극성:	N-Channel
Vds - 드레인 소스 항복 전압:	1.2 kV
Id - 연속 드레인 전류:	149 A
Vgs - 게이트 소스 전압:	- 10 V, + 22 V
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압:	2.72 V
최저 작동온도:	- 40 C
최고 작동온도:	+ 175 C
Pd - 전력 발산:	353 W
시리즈:	NXH007F120M3F2PTHG
포장:	Tray
브랜드:	onsemi
구성:	Full Bridge
COA(최종 조립 국가):	Not Available
COD(확산 공정 국가):	Not Available
COO(원산지):	CN
하강 시간:	13.2 ns
제품 유형:	MOSFET Modules
상승 시간:	12 ns
팩토리 팩 수량:	20
하위 범주:	Discrete and Power Modules
상표명:	EliteSiC
타입:	Full Bridge
표준 턴-오프 지연 시간:	121.6 ns
표준 턴-온 지연 시간:	37.2 ns
Vf - 순방향 전압:	5.03 V

제품을 찾음:

유사 제품을 표시하려면 확인란을 하나 이상 선택하십시오.

이 카테고리에 유사 제품을 표시하려면 확인란을 하나 이상 선택하십시오.

속성 선택됨: 0

문서 필터:

데이터시트

NXH007F120M3F2PTHG 데이터시트

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NXH0x0F120MNF1 SiC MOSFET

onsemi NXH0x0F120MNF1 SiC MOSFET은 F1 패키지에 풀 브리지와 서미스터를 포함하고 있는 전력 모듈입니다. 이 MOSFET은 서미스터 및 압입 핀이 특징입니다. NXH0x0F120MNF1 모듈은 TIM(사전 적용된 열 인터페이스 소재)와 사전 적용된 TIM 옵션 없이 모두를 제공합니다. 이 모듈은 태양광 인버터, 무정전 전원 장치, 전기차 충전소, 산업용 전력에 사용하기에 적합합니다. NXH0x0F120MNF1 모듈은 무연, 무할로겐, RoHS를 준수합니다. 이 모듈은 보관 온도 범위 -40°C ~ 150°C와 작동 접합 온도 범위 -40°C ~ 175°C로 제공됩니다.