NVMYS021N06CLTWG

onsemi
863-NVMYS021N06CLTWG
NVMYS021N06CLTWG

제조업체:

설명:
MOSFET 60V 21mOhm 27A Single N-Channel

데이터시트:
ECAD 모델:
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추가 정보
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재고 상태: 2,938

재고:
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즉시 배송 가능
주문 중:
3,000
예상 2026-05-26
공장 리드 타임:
19
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최소: 1   배수: 1
단가:
₩-
합계:
₩-
예상 관세:

가격 (KRW)

수량 단가
합계
₩2,042.4 ₩2,042
₩1,283.2 ₩12,832
₩851 ₩85,100
₩669 ₩334,500
₩606.8 ₩606,800
전체 릴(3000의 배수로 주문)
₩534.3 ₩1,602,900

제품 속성 속성 값 속성 선택
onsemi
제품 카테고리: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
LFPAK-4
N-Channel
1 Channel
60 V
27 A
21 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
5 nC
- 55 C
+ 175 C
28 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel
Cut Tape
브랜드: onsemi
구성: Single
COA(최종 조립 국가): Not Available
COD(확산 공정 국가): Not Available
COO(원산지): PH
하강 시간: 1.5 ns
순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소: 37 S
제품 유형: MOSFETs
상승 시간: 12 ns
시리즈: NVMYS021N06CL
팩토리 팩 수량: 3000
하위 범주: Transistors
트랜지스터 타입: 1 N-Channel
표준 턴-오프 지연 시간: 12 ns
표준 턴-온 지연 시간: 4 ns
단위 중량: 75 mg
제품을 찾음:
유사 제품을 표시하려면 확인란을 하나 이상 선택하십시오.
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속성 선택됨: 0

데이터시트

PCN

CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

Trench6 N-채널 MV MOSFET

onsemi Trench6 N-채널 MV MOSFET은 차폐식 게이트 기술을 통합하고 있는 고급 전력 트렌치 프로세스를 사용하여 생산된 30V, 40V 및 60V MOSFET입니다. 이 프로세스는 ON 상태 저항을 최소화하되, 동급 최고의 소프트 바디 다이오드로 우수한 스위칭 성능을 유지하도록 최적화되었습니다.

LFPAK4 자동차용 전력 MOSFET

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